КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Серии источников питания HDR на DIN рейку с ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения 100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт
HDR-15   HDR-30   HDR-60   HDR-100   HDR-150  

 

Компания International Rectifier (IR) является признанным мировым лидером в разработке и производстве MOSFET-транзисторов.
 


International Rectifier
Перечень поставляемой продукции

МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ HEXFET

Корпуса МОП-транзисторов Vishay из производственной линии International Rectifier

Структура HEXFET подразумевает организацию в одном кристалле тысяч параллельно-включенных МОП-транзисторных ячеек, образующих шестиугольник. Такое решение позволило существенно снизить сопротивление открытого канала RDS(on) и сделало возможным коммутацию больших токов. С точки зрения классификации полевых транзисторов HEXFET относятся к полевым транзисторам с индуцированным каналом, т.е. работают в режиме обогащения канала неосновными носителями, что приводит к инверсии его проводимости. Такие транзисторы открываются только при подаче определенного напряжения между затвором и истоком. Полярность этого напряжения зависит от типа проводимости канала в открытом состоянии. У n-канальных транзисторов это напряжение положительное, а у p-канальных - отрицательное. Напряжение между затвором и истоком, способное вызвать протекание тока между стоком и истоком называется пороговым (VGS(TH)).

Обычно при использовании в качестве коммутаторов, p-канальные транзисторы включаются в разрыв положительной линии питания, при этом ток через них вытекает в нагрузку, а n-канальные - в разрыв отрицательной (или общей) линии питания и ток в них втекает из нагрузки. Однако, ввиду того, что p-канальные транзисторы сопоставимого класса с n-канальными обычно более дорогостоящие и ассортимент их гораздо хуже, в ряде применений общепринято использовать n-канальные и для коммутации в положительной линии питания. Для этого необходимо сток транзистора соединить с положительным питанием, исток - с нагрузкой и, самое сложное, создавать положительное отпирающее напряжение между затвором и «плавающим» при коммутации истоком. Для решения последней задачи выпускаются специальные «high-side» драйверные каскады. Описанный вариант использования n-канальных транзисторов широко используется в полумостовых и полномостовых силовых каскадах регулируемых электроприводов и импульсных преобразователей напряжения.

В приобретенный Vishay ассортимент HEXFET-транзисторов вошли дискретные транзисторы n- и p-типа в различных корпусах, в т.ч. изолированных и для поверхностного монтажа (SMT). Транзисторы охватывают широкий диапазон напряжений (до 1000 В) и тока (до 70 А), и могут использоваться во всех типичных для мощных МОП-транзисторов применениях. К ним относятся:

  • коммутаторы в импульсных источниках питания и DC/DC-преобразователях, в т.ч. каскады синхронного выпрямления (как альтернатива диоду Шоттки с меньшими потерями мощности) и каскады коррекции коэффициента мощности;

  • схемы коммутации и распределения электропитания;

  • схемы выравнивания токов параллельно-работающих каналов;

  • схемы защиты батарейных источников от протекания реверсного тока, зарядные устройства, схемы балансировки многоэлементных аккумуляторных батарей;

  • схемы управления электродвигателями;

  • усилители мощности звуковых частот;

  • линейные стабилизаторы напряжения, в т.ч. LDO-типа;

  • мощные источники тока;

  • ключи общего назначения (например, для управления мощной светодиодной нагрузкой, электромагнитными реле, электромагнитами и т.п.).

При выборе HEXFET-транзистора по напряжению и току важно понимать, что приводимые в справочных таблицах и документации максимальное рабочее напряжение (напряжение пробоя сток-исток V(BR)DSS)) и максимальный ток стока ID носят классификационный характер и не могут служит окончательным основанием для выбора транзистора. Значение V(BR)DSS) характеризует гарантированное напряжение, при котором не наступит электрического пробоя транзистора, а значение максимального тока IDпоказывает, до какой величины тока при заданных напряжении затвор-исток и температуре корпуса температура перехода кристалла будет находиться в допустимых границах. Эти данные можно использовать как ориентир, а окончательное решение о выборе транзистора необходимо принимать только руководствуясь графиками области безопасной работы (ОБР) транзистора для статического или импульсного режима работы, которые приводятся в документации. Например, транзистор IRFB11N50A классифицирован на максимальные напряжение 500 В и ток 11 А, но даже в импульсом режиме (длительность проводящего состояния 10 мс) при максимальном напряжении он способен надежно коммутировать гораздо меньший ток (менее 1 А). Величина тока стока также может быть ограничена максимальной температурой кристалла. Чтобы проверить, имеет ли место это ограничение, необходимо выполнить тепловой расчет.

TJ = TA + PDЧRqJA,

где TJ - температура перехода, TA - температура окружающей среды, PD - рассеиваемая транзистором мощность, RqJA - тепловое сопротивление «переход - окружающая среда».

Величина рассеиваемой мощности в статических и низкочастотных коммутаторах главным образом зависит от потерь проводимости в канале, т.е. PD = ID2ЧRDS(on)ЧD, где RDS(on) - сопротивление канала в открытом состоянии, а D - коэффициент заполнения импульсов (для статического коммутатора D = 1). В более высокочастотных применениях у рассеиваемой мощности также появляется динамическая составляющая, которая зависит от частоты коммутации и величины заряда затвора QG, от которого зависит, сколь долго будет происходить включение и отключение транзистора, и выходной емкости COSS. Более подробно методика расчета потерь мощности в МОП-транзисторах уже рассматривалась на страницах НЭ [1], поэтому, детали здесь опускаются. Если полученное значение TJ окажется выше предельно допустимого для выбранного транзистора значения или значения, оговоренного техническим заданием, то необходимо выполнить одно из следующих действий вплоть до соблюдения данного условия:

  • снизить ток стока, например, параллельным включением транзисторов;

  • выбрать транзистор с более низкими RDS(on) и, при необходимости, QG/COSS;

  • выбрать подобный транзистор, но в корпусе с улучшенными теплорассеивающими свойствами (например, то TO-247 вместо ТО-220);

  • применить теплоотвод.

МОП-транзисторы в корпусах для поверхностного монтажа

 

МОП-транзисторы в SMT-корпусах являются идеальными кандидатами для использования в применениях, где теплорассеивающих свойств корпуса и печатной платы будет достаточно для соблюдения допустимого теплового режима транзистора. В приобретенном Vishay ассортименте транзисторов имеются приборы в SMT корпусах трех типов: D-PAK, D2-PAK и SOT-223. Сориентироваться в выборе транзисторов поможет таблица 1.

Таблица 1. Мощные МОП-транзисторы Vishay из производственной линии International Rectifier в SMT-корпусах

ID** (TC = 25°C), А <1 1...5 5,1...10 10,1...15 15,1...20 28...41 50...57
VBRDSS, В £60 D2-PAK - - IRLZ14S*
IRFZ14S
- IRLZ24S*
IRFZ24S
IRLZ34S*
IRFZ34S
IRLZ44S* IRFZ48S
D-PAK - - IRLR014*
IRFR014
IRFR9020
IRFR9014
IRFR9024  
IRFR020
 IRLR024*
 IRFR024  
- - -
SOT-223 - IRFL014
IRFL9014
- - - - -
100 D2-PAK - IRF9510S IRL510S*
IRF510S
IRL520S*
IRF520S
IRF9520S
IRL530S*
IRF530S
IRF9530S
IRF9540S IRL540S*
IRF540S
-
D-PAK - IRLR110*
IRFR110
IRFR9110
IRLR120*
IRFR120
IRFR9120
- - - -
SOT-223 - IRLL110*
IRFL110
IRFL9110
- - - - -
200...250 D2-PAK - IRF610S
IRF614S
IRF624S
IRF9610S
IRF9620S
IRL620S*
IRF620S
IRL630S*
IRF630S
IRF634S
IRF9630S
IRF644S IRF9640S   IRL640S*   - -
D-PAK - IRFR210
IRFR220
IRFR214
IRFR224
IRFR9210
IRFR9220
IRFR9214  
- - - - -
SOT-223 IRFL210
IRFL214  
- - - - - -
400...450 D2-PAK   IRF710S
IRF720S
IRF730S
IRF740S
- - - -
D-PAK - IRFR310
IRFR320
IRFR9310
- - - - -
500...550 D2-PAK - IRF820S
IRF830S
IRF840S IRFS11N50A - - -
D-PAK - IRFR420
IRFR420А
IRFR430A
- - - - -
600...650 D2-PAK - - IRFBC40AS
IRFS9N60A
- - - -
D-PAK - IRFR1N60A
IRFRC20
- - - - -
800...1000 D2-PAK - - IRFBC40AS
IRFS9N60A
- - - -
D-PAK - IRFR1N60A
IRFRC20
- - - - -
* - указывает на транзисторы, рассчитанные на управление 5 В-ым логическим уровнем 
** - для транзисторов в корпусе SOT-223 ток стока соответствует окружающей температуре 25°C, 
а не температуре корпуса TC

В этой и последующих таблицах для облегчения поиска комплементарных пар используется цветовое разделение n- и p-канальных транзисторов. Например, запись IRFL014 указывает на n-канальный тип, а IRFL9014 - на p-канальный.

МОП-транзисторы в корпусах для монтажа в отверстие

 

К использованию транзисторов в корпусах для монтажа в отверстие прибегают в следующих случаях:

- использование таких корпусов оговорено заданием к проекту;

- не существует SMT-транзисторов, отвечающих заданным требованиям;

- требуется установка на теплоотвод.

Наименования доступных транзисторов Vishay-IR в различных корпусах для монтажа в отверстие представлены в таблице 2, а внешний вид корпусов и их тепловые сопротивления - на рисунке 1.

Таблица 2а. Мощные МОП-транзисторы Vishay из производственной линии International Rectifier в корпусах для монтажа в отверстие

ID (TC = 25°C), А 1...5 5,1...10 10,1...15 15,1...27 28...41 46...57 70
VBRDSS, В £60 TO-220AB IRF9Z10 IRFZ10
IRLZ14*
IRFZ14
IRF9Z20
IRF9Z14
IRF9Z24 IRLZ24*
IRFZ48
IRF9Z34
IRLZ34*
IRFZ44
IRLZ44*
IRFZ46
IRFZ34
-
TO-220FP - IRLIZ14G* IRFIZ14G IRFI9Z14G RFI9Z24G IRLIZ24G*
IRFIZ24G
IRFI9Z34G
IRLIZ34G*
IRFIZ34G
IRLIZ44G*
IRFIZ44G
IRFIZ48G
- -
TO-247AC - - - -   IRFP044 IRFP048
IRFP054
IRFP064
100 TO-220AB IRF9510 IRL510*
IRF510
IRL520*
IRF520
IRF9520
IRL530*
IRF530
IRF9530
IRF9540 IRL540*
IRF540
- -
TO-220FP IRFI510G IRLI520G*
IRFI520G
IRFI530G
IRFI9520G
IRFI9530G
IRFI9540G IRLI540G* IRFI540G - - -
TO-247AC - - - IRFP9140 IRFP140 IRFP150 - -
200...250 TO-220AB IRF610
IRF614
IRF624
IRF9610
IRF9620
IRL620*
IRF620
IRL630*
IRF630
IRF634
IRF644
IRF9630
IRF9640 IRL640* IRF640 - - -
TO-220FP IRLI620G*
IRFI620G
IRLI630G*
IRFI614G
IRFI624G
IRFI9610G
IRFI9620G
IRFI9630G
IRFI9634G
IRFI630G
IRLI640G*
IRFI640G
IRFI634G
IRFI644G
IRFI9640G
- - - - -
TO-247AC - - IRFP244
IRFP9240
IRFP240
IRFP254
IRFP250
IRFP264
IRFP260  
400...450 TO-220AB IRF710
IRF720
IRF730
IRF734
IRF740
IRF744
- - - - -
TO-220FP IRFI720G
IRFI730G
IRFI734G
IRFI744G
IRFI740G - - - - -
TO-247AC - IRFP344 IRFP340 IRFP350 IRFP360 - - -
500...550 TO-220AB IRF820
IRF830
IRF840
IRFB11N50A
IRFB13N50A
IRFIB7N50A
IRFIB7N50L
IRFIB8N50K
IRFB16N50K IRFB17N50L
IRFB18N50K
IRFB20N50K
- - -
TO-220FP IRFI820G
IRFI830G
IRFI840G
IRFIB5N50L
- - - - - -
TO-247AC - IRFP440 IRFP448
IRFP450
IRFP17N50L
IRFP460
IRFP22N50A
IRFP23N50L
IRFP31N50L
IRFP32N50K
- -
VBRDSS, В 600...650 TO-220AB IRFBC20
IRFBC30
IRFB9N60A
IRFBC40
IRFB9N65A
- IRFB16N60L
IRFB17N60K
- - -
TO-220FP   IRFIB6N60A
IRFIB5N65A
- - - - -
TO-247AC - IRFPC40   IRFPC50
IRFP15N60L  
IRFPC60
IRFP21N60L
IRFP22N60K
IRFP26N60L
IRFP27N60K
- - -
800...1000 TO-220AB IRFBE20
IRFBE30
IRFBF20
IRFBF30
IRFBG20
IRFBG30
- - - - - -
TO-220FP IRFIBE20G
IRFIBE30G
IRFIBF20G
IRFIBF30G
- - - - - -
TO-247AC IRFPE30
IRFPF30
IRFPF40
IRFPG30
IRFPG40
IRFPE40
IRFPE50
IRFPF50
IRFPG50
- - - - -
* - указывает на транзисторы, рассчитанные на управление 5 В-ым логическим уровнем.

 

Таблица 2б. Мощные МОП-транзисторы Vishay из производственной линии International Rectifier в корпусах для монтажа в отверстие**

ID (TC=25°C), А <1 1...5 5,1...10 10,1...15 15,1...27 28...41 43...50
VBRDSS, В £60 TO-262 - - IRF9Z14L IRF9Z24L IRF9Z34L - IRFZ44L
HEXDIP - IRFD123
IRLD014*
IRFD014
IRLD024*
IRFD024
IRFD9020
IRFD9014
IRFD9024
- - - - -
100 SOT-227 (Iso) - - FB180SA10 - - - -
HEXDIP IRFD9110 IRLD110*
IRFD110
IRLD120*
IRFD120
IRFD9120
- - - - -
200...250 TO-262 - - - - IRF640L - -
HEXDIP IRFD210
IRFD220
IRFD214
IRFD224
IRFD9210
IRFD9220
- - - - - -
400...450 TO-262 - - IRF730AL
IRF740AL
- - - -
HEXDIP IRFD310
IRFD320
- - - - - -
500...550 Super 220/247 - - - - IRFBA22N50A IRFPS35N50L
IRFPS37N50A
IRFPS40N50L
IRFPS43N50K
TO-262 - IRF820AL
IRF830AL
IRF840AL
IRF840LCL
IRFSL11N50A - - -
SOT-227 (Iso) - - - - - FA38SA50LC
FC40SA50FK
FA57SA50LC
HEXDIP IRFD420 - - - - - -
600...650 Super 247 - - - - - IRFPS29N60L
IRFPS30N60K
IRFPS38N60L
IRFPS40N60K
-
TO-262 - IRFBC20L
IRFBC30L
IRFBC40L
IRFSL9N60A
- - - -
HEXDIP IRFDC20 - - - - - -
800...1000 TO-262 - IRFBE30L
IRFBF20L
- - - - -
HEXDIP IRFDC20 - - - - - -
* - указывает на транзисторы, рассчитанные на управление 5 В-ым логическим уровнем ** - кроме транзисторов в корпусе SOT-227 (Iso), который рассчитан на проводной монтаж

 

Некоторые из представленных в таблицах транзисторов доступны в обновленных исполнениях, что отмечается добавлением к серийному номеру суффикса «А» или «N» в конце цифрового кода. Например, транзистор IRF644, выпускаемый по технологии HEXFET третьего поколения, также доступен как IRF644N и обладает существенно улучшенными характеристиками заряда затвора (54 нКл против 68 нКл) и выходной емкости (140 пФ против 330 пФ), которые, как уже упоминалось, влияют на тепловые потери в импульсных применениях. Получить полный перечень серийных номеров можно по ссылке [2], выбрав там требуемый n- или p-канальный тип транзистора.

МОП-транзисторы в изолированных корпусах

 

В устройствах, где силовые приборы устанавливаются на теплотвод, который электрически связан с шасси устройства, или где из экономических соображений выгодно охлаждать несколько полупроводников на общем теплоотводе, существует необходимость в электрической изоляции таких силовых приборов от теплоотвода. При использовании обычных корпусов TO-220AC, металлическая пластина которых соединена со стоком кристалла МОП-транзистора, эта задача решается применением специальных слюдяных или пластиковых прокладок между транзистором и теплотводом. Однако такое решение имеет ряд недостатков: увеличивается перечень покупных изделий, что усложняет серийное производство изделий в части снабжения и складского учета; усложняется процесс сборки изделия и контроля качества; снижается уровень надежности изделия. Для решения этой задачи и избавления от перечисленных недостатков был разработан изолированный корпус TO220-FULL PACK (или TO220-FP). Существенным недостатком корпуса TO220-FP является его высокое тепловое сопротивление «переход-корпус» R JA (почти в 4 раза больше чем у обычного корпуса ТО220), что ограничивает возможность рассеивания им повышенных уровней мощности. В таком случае можно использовать транзисторы в еще одном изолированном корпусе - SOT-227, но он не рассчитан на монтаж пайкой и подключается проводниками к предусмотренным на его корпусе винтовым клеммникам.

МОП-транзисторы для управления логическим уровнем

 

Обычные МОП-транзисторы, хотя и имеют пороговое напряжение затвора менее 5 В (2...4 В), тем не менее, для работы с заявленными в документации малыми значениями RDS(on) требуют управления более высокими напряжениями (обычно более 6 В). Поэтому для применений, где требуется напрямую управлять МОП-транзистором с выхода цифровой ИС (например, микроконтроллера) были разработаны специальные транзисторы с управлением логическим уровнем. Такие транзисторы в таблицах 1 и 2 отмечены звездочкой и имеют префикс «L» в серийном номере. Значения RDS(on) у этих транзисторов определяются при напряжении VGS = 4 и 5 В.

Мощные МОП-транзисторы с функцией контроля тока

 

Отдельно в таблице 3 представлены особые МОП-транзисторы - с функцией контроля тока.

Таблица 3. МОП-транзисторы с функцией контроля тока в 5-выводном корпусе TO-220 (HEXSense®)

Серия VBRDSS, 
В
RDS(on) 
(VGS=10 В), 
мОм
ID
(TC=25°C), 
А
ID  
(TC=100°C), 
А
Qg 
(typ), 
нКл
Qgd 
(typ), 
нКл
Rth
(JC),
К/Вт
PD  
(TC=25°C), 
Вт
IRC540 100 77,0 28 20 69,0 37,0 1,00 150
IRC634 250 450,0 8,1 5,1 41,0 22,0 1,7 74
IRC640 200 180,0 18 11 70,0 39,0 1,00 125
IRC644 250 280,0 14 8,5 65,0 32,0 1,00 125
IRC730 400 1000,0 5,5 3,5 38,0 22,0 1,00 74
IRC740 400 550,0 10 6,3 66,0 33,0 1,00 125
IRC830 500 1500,0 4,5 3 38,0 22,0 1,7 74
IRC840 500 850,0 8 5,1 67,0 34,0 1,00 125
IRCZ24 60 100,0 17 12 24,0 9,0 2,5 60
IRCZ34 60 50,0 30 21 46,0 22,0 1,7 88
IRCZ44 60 28,0 50 37 95,0 46,0 1,00 150

Все эти транзисторы относятся к n-канальному типу и, в отличие от остальных, имеют два дополнительных вывода: вывод сигнального истока (для включения в слаботочную контрольную цепь) и вывод контроля тока. На последнем выводе, по аналогии с токовым зеркалом, формируется небольшой ток, который пропорционален току сток-исток. Данный тип мощных приборов используется главным образом в устройствах управления электроприводами и импульсных источниках питания, где очень важен контроль тока. Их применение позволяет снизить потери мощности по сравнению с шунтовым способом контроля тока и снизить стоимость решения по сравнению с контролем тока датчиками Холла.

Таким образом, в приобретенную Vishay производственную линию International Rectifier входит обширное число выполненных по технологии HEXFET МОП-транзисторов n- и p-канального типов; в различных корпусах, в т.ч. для поверхностного и выводного монтажа, изолированные и с улучшенной теплорассеивающей способностью; в стандартных и специальных исполнениях (для управления логическим уровнем, с улучшенными динамическими и статическими характеристиками). Для применений с функциями защиты по току предлагаются специальные приборы с отдельным выводом для контроля тока.

 

 


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП