|
|
|
|
Большой выбор MOSFET-транзисторов производства
IR/Vishay/INFINEON
|
|
|
|
 |
Расширение линейки IGBT
транзисторов 600 В компании International Rectifier
Компания International Rectifier объявила о расширении линейки
энергоэффективных IGBT транзисторов на 600 В. Новые транзисторы
серии IRxx46xx оптимизированы на полный диапазон
мощностей: от маломощных
двигателей до промышленной нагрузки в бесперебойных источниках
питания, индукционном нагреве, индустриальных приводах и сварочных
аппаратах |
|
|
|
 |
600V IGBT серии IRGP66 – новая
серия силовых транзисторов на складе
Компания International Rectifier вывела на рынок новую серию
высокопроизводительных 600 В IGBT – IRGP6630, IRGP6640, IRGP6650,
IRGP6660, IRGP6690 изготовленных по технологии «Field Stop-Trench».
IGBT новой серии обладают сверхнизкими потерями проводимости и
переключения, обеспечивают высокую надежность в жестких условиях
эксплуатации и оптимизированы для применения в сварочных аппаратах.
|
|
|
|
 |
Транзисторы StrongIRFET –
эталонная проводимость для 48V применений.
Сегодня компания
International Rectifier
расширяет область применения данного семейства до 48-вольтового
сегмента, выпустив новые транзисторы StrongIRFET™ с рабочим
напряжением до 60 В.
|
|
|
|
 |
Эффективные P-канальные 30 В MOSFET от IR
Несмотря на
то, что P-канальные транзисторы распространены гораздо меньше, чем их
N-канальные собратья (этим, в частности, обуславливается относительная
немногочисленность их номенклатуры), они находят свое применение в
системах защиты аккумуляторных батарей, защиты шин питания от выбросов
напряжений и системах коммутации нагрузки. |
|
|
|
 |
МОЩНЫЕ И КОМПАКТНЫЕ – НОВЫЕ
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СИЛОВЫЕ МОДУЛИ ΜIPM
Все чаще малогабаритные
электромоторы малой и средней мощности в качестве входного питания
используют общепромышленные однофазные электросети с номинальным
напряжением ~220 В.
Но для управления ими, в частности, для регулирования частоты вращения
ротора, нужны три фазы и заданная последовательность коммутации. Для
этого служат новые миниатюрные интеллектуальные модули µIPM от IR,
пришедшие на смену популярной серии IRAM.
|
|
|
|
 |
Сдвоенные N-канальные транзисторы |
|
|
|
 |
Сдвоенные P-канальные транзисторы |
|
|
|
|
 |
Быстрые оптоэлектронные реле International Rectifier
-
Быстродействующие (PVA, PVD, PVR);
- Общего назначения (PVT);
- Низковольтные средней мощности (PVG, PVN);
- Высоковольтные мощные (PVX). |
|
|
|
 |
Новые драйверы для управления
IGBT-транзисторами
Для правильного
обеспечения закрытия и открытия IGBT-транзисторов необходимо
применение специальных высоковольтных микросхем-драйверов (HVIC - High
Voltage Integrated Circuit). Они позволяют создать требуемый перепад
напряжения между коллектором, находящимся под напряжением несколько
сотен вольт, и затвором. Кроме того, драйвера обеспечивают высокий ток
(несколько ампер) для быстрой перезарядки паразитных емкостей
транзистора, что обеспечивает меньшие потери энергии при переключении
транзисторов.
|
|
|
|
 |
Сверхбыстрые 1200V IGBT
7-го поколения от International Rectifier
В конце 2011 года компания International Rectifier выпустила на
мировой рынок новую линейку надежных и эффективных IGBT 1200 В,
предназначенных для широкого круга приложений: индукционных
нагревателей, сварочных аппаратов, высокомощных выпрямителей,
бесперебойных источников питания, солнечных батарей и других.
|
|
|
|
 |
Новые MOSFET в
корпусе SOT-23
Серия MOSFET в корпусе SOT-23 изначально не была предназначена
для мощных применений, поскольку возможности для рассеивания тепла у
корпуса очень скромны. Однако значительное уменьшение сопротивления
ключа в открытом состоянии позволило значительно расширить диапазон
коммутируемых токов. В сочетании с малой ценой этот тип корпуса стал
особенно привлекателен для использования в мобильном секторе и для
бюджетных маломощных преобразователей напряжения. |
|
|
|
 |
Самый большой
выбор MOSFET-транзисторов от
International Rectifier
Навигатор по MOSFET
транзисторам, рекомендуемым для новых разработок
|
|
|
|
 |
Новые корректоры
коэффициента мощности
Цель использования корректора коэффициента
мощности – сделать так, чтобы вход источника питания со стороны сети
«выглядел» чисто активным сопротивлением. Отличие корректоров
коэффициента мощности (ККМ) IR115xS компании International
Rectifier от изделий этого типа других производителей – упрощающий
схемотехнику режим One Cycle Control, запатентованный IR. |
|
|
|
 |
Высоковольтные драйверы мощных светодиодов
Как один из ведущих мировых
производителей специализированных модулей и микросхем питания,
компания International Rectifier не могла остаться в стороне от
вопросов питания сверхъярких мощных светодиодов. В статье
рассматриваются высоковольтные полумостовые драйверы IRS2541 и
IRS2540, предназначенные для этих целей. |
|
|
|
 |
Преимущества транзисторов в корпусах DirectFET
Объединив преимущества
технологии корпусирования DirectFET и технологии
TrenchFET Gen10.59, компания IR приступила к началу
производства нового поколения МОП-транзисторов
DirectFET-2. Обновление номенклатуры коснулось
диапазона напряжений «сток-исток» 25...30 В.
Транзисторы нового поколения производятся в тех же
корпусах, что позволяет произвести модернизацию и
поднять КПД преобразования без изменения печатной
платы. |
|
|
|
 |
Микросхемы драйверов затворов МОП и IGBT транзисторов
Фирма International Rectifier
выпускает широкую гамму микросхем драйверов для управления затворами IGBT
и полевых транзисторов. Все драйверы выпускаются в DIP и SMD исполнении с
возможностью управления затворами приборов, работающих под напряжением до
1200 В при макс. выходном напряжении на затворе до 20 В. Выпускаемые
драйверы предназначены для управления затворами верхних, нижних,
полумостовых, верхних и нижних, раздельных трехфазных мостовых и
трехфазных схем включения. |
|
|
|
 |
Новинки MOSFET в стандартных корпусах
В течение последнего
десятилетия внедрение компанией International Rectifier
TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов привело к
появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое сопротивление
открытого канала, так и улучшенные динамические характеристики. В
статье рассказывается о новых изделиях, пополнивших линейку MOSFET
компании International Rectifier в самое последнее время. |
|
|
|
 |
НОВАЯ СЕРИЯ
МОП-ТРАНЗИСТОРОВ IRFP4XXX С УЛЬТРАНИЗКИМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ КАНАЛА
Отличительная особенность
новой серии IRFP4xxx, производимой по новейшей технологии Trench
HEXFET Power MOSFETs, - уменьшенное сопротивление Rds(on) до 2,5 раз
по сравнению с транзисторами предыдущего поколения. Все они
выпускаются в стандартном популярном корпусе TO-247AC, что позволяет
существенно снизить стоимость готового устройства.
|
|
|
|
 |
Новые P- и N- MOSFET от 30В
до 100В компании IR в корпусе SOT-23
International Rectifier представил
семейство новых HEXFET MOSFET, имеющих ультранизкое сопротивление
открытого канала (RDS(on)) в стандартном корпусе SOT-23,
предназначенных для различного применения, например, в переключателях
аккумуляторных батарей, переключателях нагрузки, электроприводах,
телекоммуникационном оборудовании и других применениях. |
|
|
|
 |
Удобный
инструмент для выбора IGBT транзисторов
В качестве критериев поиска используются такие принципиальные параметры,
как:
• конфигурация транзисторов: дискретные и с диодом
• тип монтажа: в отверстие или на плату
• напряжение шины и номинальное напряжение транзистора
• частота переключения
• максимальный ток и др. |
|
|
|
 |
Новые N-канальные
MOSFET-транзисторы в корпусах общепромышленного стандарта
Компания International
Rectifier (IR) является признанным мировым лидером в разработке и
производстве MOSFET-транзисторов. Отличительной особенностью
MOSFET-транзисторов последних лет является сочетание ультранизкого
сопротивления открытого канала и высокие динамические характеристики.
В статье рассматриваются новые изделия, пополнившие линейку N-канальных
MOSFET в последнее время. |
| |
|
 |
НОВОЕ ПОКОЛЕНИЕ
НИЗКОВОЛЬТНЫХ MOSFET-ТРАНЗИСТОРОВ В КОРПУСАХ SO-8, PQFN И DIRECTFET
Обновленная линейка
низковольтных силовых MOSFET-транзисторов компании International
Rectifierвыполнена по улучшенной технологии Trench FET Gen10.59 и с
использованием современных технологий корпусирования. Их применение
позволит выполнить самые жесткие требования к эффективности и
себестоимости конечного решения. |
| |
|
 |
ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕЛЕ
КОМПАНИИ INTERNATIONAL RECTIFIER
Реле (и
электромеханические, и полупроводниковые) в качестве электрически
управляемых переключателей с изолированными цепями управления и
коммутации и сегодня являются функционально необходимыми элементами
для многих электронных устройств. В данной статье рассматривается
линейка полупроводниковых (оптоэлектронных) реле, выпускаемых компаниейInternational Rectifier. |
| |
|
 |
IGBT Полумостовые модули VISHAY / IR
Серия полумостовых IGBT
модулей Vishay на 600 и 1200 В в стандартных корпусах Int-A-Pak
предназначена для жестких условий переключений на высоких частотах до
1 или 60 кГц.
|
| |
|
|
 |
HEXFET -
Cиловые МОП-транзисторы компании International Rectifier
N-канальные
Р-канальные
Сборка. 2 N-канальных
Сборка. 2 Р-канальных
Сборка. 1 N-канальный / 1 Р-канальный
Fetky - сборка МОП-транзистор и диод шоттки |
| |
|
 |
ДИОДЫ
ШОТТКИ INTERNATIONAL RECTIFIER
Диод Шоттки (также
правильно Шотки) — полупроводниковый диод с малым падением напряжения
при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки.
Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве
барьера Шоттки (вместо p-n перехода, как у обычных диодов). |
| |
|
 |
МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ HEXFET
HEXFET - Cиловые
МОП-транзисторы компании International Rectifier
International Rectifier, мировой лидер в технологии управления
питанием, представляет новые N – канальные полевые транзисторы в
диапазоне напряжений от 60 В до 200 В, изготовленные по технологии
trench HEXFET® Power MOSFETs.
Они характеризуются высоким постоянным током стока и предназначены для
промышленных батарей, блоков питания, мощных двигателей постоянного
тока, электроинструмента.
|
| |
|
 |
СИЛОВЫЕ ТИРИСТОРЫ
Тиристоры как коммутационные элементы в настоящее время испытывают жесткую
конкуренцию среди прочих силовых полупроводников, в т.ч. транзисторы
MOSFET и IGBT. Это связано не только с улучшенными техническими и
функциональными возможностями схем на указанных транзисторах, но и с
непрерывно ужесточающимися требованиями к электромагнитной совместимости.
Тем не менее, еще существует ряд применений, где использование тиристоров
как минимум более выгодно по экономическим соображениям, а порой и
безальтернативно. |
| |
|
| |
|
.jpg)
