КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Ёмкость, мкф

Напряжение, В

Диаметр, мм

 
 

International Rectifier Corporation
Общепризнанный мировой лидер в разработке и производстве силовых полупроводниковых компонентов

Полное наименование: International Rectifier Corporation
Веб сайт: www.irf.com
Перечень поставляемой продукции

 

В течение последнего десятилетия внедрение компанией International Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях, пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое последнее время.

 

Компания International Rectifier исторически является мировым лидером по производству MOSFET. А в последние несколько лет, особенно после продажи части номенклатуры Vishay, компания уделяет огромное внимание развитию инновационных технологий, среди которых производству новых MOSFET уделяется особое внимание. В нынешней ситуации, когда рост эффективности кремниевого кристалла замедляется, на первое место выходит комплексный показатель работы всей системы «кристалл-корпус». Постоянное совершенствование технологии изготовления кристаллов транзистора и их корпусирования позволяет изделиям компании отвечать современным жестким требованиям эффективности, энергопотребления, условий эксплуатации приборов, а также их цены.

В процессе эволюции технологии изготовления MOSFET происходит постоянное повышение удельной мощности транзисторов, снижение удельного сопротивления канала, а также уменьшение комплексного показателя потерь, учитывающего одновременно потери на проводимость и переключение. Однако устойчивая работа транзисторов зависит и от ряда других важных параметров в зависимости от конкретного их применения в разных устройствах. Линейка MOSFET International Rectifier отличается тем, что можно выбрать транзисторы, предназначенные для работы только в определенных устройствах, например, в синхронных выпрямителях, DC/DC-преобразователях или приводах двигателей постоянного тока.

Например, совсем недавно IR объявила о выпуске целой линейки новых MOSFET, предназначенных для применения в различных устройствах автомобильной электроники, таких как переключатели, DC/DC-преобразователи, элементы управления двигателем и другие. Эти приборы отличаются высокой надежностью и малым сопротивлением канала Rds(on). Данные транзисторы сертифицированы согласно автомобильному стандарту AEQ-101. К примеру, этот стандарт требует, чтобы сопротивление канала транзистора изменялось не более чем на 20% после тысячи температурных циклов тестирования. Однако при расширенном тестировании приборы серии AU демонстрируют максимальное изменение сопротивления менее 10% после 5000 температурных циклов, тем самым подтверждая свое высокое качество и надежность. Эта серия новых транзисторов имеет диапазон напряжений от 24 до 100 В, а минимальное сопротивление открытого канала в этой линейке MOSFET (у транзистора AUIRF1324S-7P) составляет оно всего 1 мОм (см. таблицу 1).

D2PAK-7 D2PAK TO-220 TO-262 DPAK I-Pak

Таблица 1. Новые автомобильные MOSFET в различных корпусах  

Наименование

Корпус

Vds, В

Rds(on), мОм

Qg, нК

Id (Tc = 25°С), А

купить - жми ниже на ссылку

AUIRF1324S-7P

D2Pak-7P

24

1

180

429

AUIRF1324S

D2Pak

24

1,65

160

340

AUIRF1324

TO-220

24

1,5

160

353

AUIRF2804S-7P

D2Pak-7P

40

1,6

170

320

AUIRF2804S

D2Pak

40

2

160

270

AUIRF2804L

TO-262

40

2

160

270

AUIRF2804

TO-220

40

2

160

270

AUIRF1404ZS

D2Pak

40

3,7

100

180

AUIRF1404ZL

TO-262

40

3,7

100

180

AUIRF1404Z

TO-220

40

3,7

100

180

AUIRF4104S

D2Pak

40

5,5

68

120

AUIRFR4104

DPak

40

5,5

59

119

AUIRFU4104

I-Pak

40

5,5

59

119

AUIRF4104

TO-220

40

5,5

68

120

AUIRF1010ZS

D2Pak

55

7,5

63

94

AUIRF1010ZL

TO-262

55

7,5

63

94

AUIRF1010Z

TO-220

55

7,5

63

94

AUIRF1010EZS

D2Pak

60

8,5

58

84

AUIRF1010EZ

TO-220

60

8,5

58

84

AUIRF3710ZS

D2Pak

100

18

82

59

AUIRFR3710Z

DPak

100

18

69

56

AUIRF3710Z

TO-220

100

18

82

59

 

Отдельно необходимо выделить новые автомобильные MOSFET AUIRF7739L2 и AUIRF7665S2 в корпусе DirectFET2. Концепция Direct-корпусирования идеально подходит для автомобильных применений, где требуются высокая эффективность, качество, повышенная конструктивная прочность и надежность. AUIRF7739L2, выполненный в корпусе DirectFET2 большого размера (Large Can) имеет сопротивление канала всего 0,7 мОм и демонстрирует исключительно большую плотность мощности и КПД, а заряд затвора транзистора AUIRF7665S2 (в малом корпусе Small Can) составляет всего 8,3 нКл, что позволяет ему иметь прекрасные динамические характеристики.

Стоит также отметить, что уже сейчас доступны для заказа транзисторы IRF7739L2 и IRF7749L2 в корпусе Large Can DirectFET2 для универсального применения, выгодно отличающиеся от автомобильных DirectFET2 MOSFET по цене. Эти транзисторы имеют малое сопротивление канала и рассчитаны на напряжения 40 и 60 В соответственно. Столь малое значение сопротивления открытого канала транзистора достигается за счет того, что в корпус Large Can DirectFET2 можно упаковать кристалл размером на 30% больше, чем в корпус D2PAK. И это при том, что площадь корпуса L-Can на 58% меньше, чем площадь D2PAK.

Первые транзисторы в корпусе DirectFET были выпущены в 2002 году, и их линейка продолжает расширяться ускоренными темпами. И это неудивительно, ведь спрос на эти транзисторы продолжает неуклонно расти, а качество упаковки кристалла является самым лучшим среди всех транзисторов IR. В апреле этого года компания объявила о выпуске двух новых 25 В DirectFET MOSFET IRF6706S2PBF и IRF6798MPBF с максимальным КПД для высокочастотных DC/DC-преобразователей. Эти транзисторы сочетают в себе ультранизкие значения заряда затвора и сопротивления открытого канала RDS(on) одновременно, что приводит к значительному уменьшению потерь на проводимость и переключение. Транзистор IRF6798MPBF в корпусе DirectFET среднего размера (Medium Can) с сопротивлением канала в открытом состоянии 0,95 мОм демонстрирует очень высокий КПД во всем диапазоне нагрузки. Он имеет монолитно встроенный диод Шоттки, что приводит к уменьшению потерь, связанных с проводимостью диода «сток-база», и потерь на обратное восстановление. Помимо этого, малое значение сопротивления затвора (0,25 мОм) способствует значительному уменьшению паразитных эффектов. Транзистор IRF6706SPBF выполнен в малом DirectFET корпусе (Small Can) и также имеет превосходные динамические и статические характеристики.

 

Таблица 2. Новые транзисторы в корпусе DirectFET и DirectFET2  

Наименование

Корпус

Vds, В

Rds(on), мОм

Qg, нК

Id (Tc = 25°С), А

AUIRF7739L2

DirectFET2 L-Can

40

1

220

270

AUIRF7665S2

DirectFET2 S-Can

100

62

8,3

14,4

IRF7739L2

DirectFET2 L-Can

40

1

220

270

IRF7749L2

DirectFET2 L-Can

60

1,5

200

203

IRF6706S2

DirectFET S-Can

25

5,3

12

17

IRF6798M

DirectFET M-Can

25

1,6

50

37

 

Быстрыми темпами начинают завоевывать не только мировой, но и украинский рынок производителей электроники транзисторы MOSFET в корпусе PQFN, выполненные по уникальной технологии корпусирования с применением медной клипсы. На поверхность кристалла помещается - «защелкивается» - медная пластина (клипса), обеспечивающая очень плотное прилегание к кристаллу. Контакт позволяет получить сопротивление перехода «кристалл-медная клипса» менее, чем 1 мОм. Эффективность этих транзисторов больше, чем у транзисторов в других корпусах, за исключением DirectFET. Помимо более низкого активного сопротивления выводов, данный корпус обладает улучшенными тепловыми характеристиками. Таким образом, можно существенно повысить плотность мощности или снизить температуру транзистора при его работе. Например, при использовании данных транзисторов в качестве синхронных выпрямителей можно снизить температуру корпуса на 28°С, а при их использовании в качестве силового ШИМ-коммутатора - примерно на 9°С. За последнее полугодие IR представила довольно широкую линейку данных транзисторов, рассчитанных на напряжения от 20 до 250 В (таблица 3) и предназначенных для применения в устройствах синхронного выпрямления, приложениях типа OR'ING (силовая схема «ИЛИ» соединения источников питания), электроприводах постоянного тока и многих других.

Компания постоянно расширяет также и номенклатуру HEXFET Trench MOSFET (таблица 4), производимых в корпусах, уже давно ставших популярными, которые еще долго будут востребованы рынком - ТО-220, D2PAK, D2PAK-7, ТО-247 и других.

Таблица 4. HEXFET Trench MOSFET в различных корпусах

D2PAK-7

Наименование

Корпус

Vds, В

Rds(on), мОм

Qg, нК

Id (Tc = 25°С), А

купить - жми ниже на ссылку

IRFS3004-7PPBF

D2PAK-7

40

1,25

160

400

IRFP4004PBF

TO-247AC

40

1,7

220

350

IRFB3004PBF

TO-220AB

40

1,75

160

340

IRFS3004PBF

D2PAK

40

1,75

160

340

IRFS3006-7PPBF

D2PAK-7

60

2,1

200

293

IRFB3006PBF

TO-220

60

2,5

200

270

IRFS3006PBF

D2PAK

60

2,5

200

270

IRFS3107-7PPBF

D2PAK-7

75

2,6

160

260

IRFS3107PBF

D2PAK

75

3

160

240

IRFS4010-7PPBF

D2PAK-7

100

4

150

190

IRFS4010PBF

D2PAK

100

4,7

143

180

IRFS4115-7PPBF

D2PAK-7

150

11,8

73

105

IRFS4115PBF

D2PAK

150

12,1

77

99

IRLS3034-7PPBF

D2PAK-7

40

1,7

108

240

IRLB3034PBF

TO-220

40

2

108

195

IRLS3034PBF

D2PAK

40

2

108

195

IRLS3036-7PPBF

D2PAK-7

60

2,2

91

240

IRLB3036PBF

TO-220

60

2,8

91

195

IRLS3036PBF

D2PAK

60

2,8

91

195

IRLS4030-7PPBF

D2PAK-7

100

4,1

87

190

IRLB4030PBF

TO-220

100

4,5

87

180

IRLS4030PBF

D2PAK

100

4,5

87

180

Эти транзисторы имеют наименьшее в отрасли сопротивление открытого канала и обеспечивают токи стока до 400 А. Среди них стоит выделить, например, транзистор в корпусе D2PAK-7 c семью выводами, который имеет Rds(on) на 16% ниже по сравнению с аналогом в корпусе D2PAK. Помимо потерь на проводимость, всегда следует учитывать потери на переключение. Часто транзисторы из этой линейки (IRL) имеют логический уровень управления затвором и соответствуют требованиям скоростного включения и выключения современных устройств, например, тех, в которых требуется максимальная эффективность в режиме небольших нагрузок и питание которых осуществляется от микроконтроллеров или маломощных аккумуляторов.

Наконец, несколько слов о новых HEXFET MOSFET в корпусах SOT-23 (Micro3). Эти транзисторы характеризуются очень малым зарядом затвора Qg и малой паразитной миллеровской емкостью, благодаря чему имеют сверхбыстрое время переключения.

Таблица 5. Новые HEXFET MOSFET в корпусе SOT-23  

Наименование

Корпус

Vds, В

Rds(on), мОм

Qg, нК

Id (Tc = 25°С), А

 

IRLML0030TRPBF

Micro 3/SOT-23

30

27

2,6

5,3

IRLML2030TRPBF

Micro 3/SOT-23

30

100

1

2,7

IRLML0060TRPBF

Micro 3/SOT-23

60

92

2,5

2,7

IRLML2030TRPBF

Micro 3/SOT-23

60

480

0,67

1,2

IRLML0100TRPBF

Micro 3/SOT-23

100

220

2,5

1,6

 

 


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП