КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

смотри так же:

P- и N- MOSFET от 30В до 100В компании IR в корпусе SOT-23

MOSFET - транзисторы Infineon


Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics

Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле «ключевыми» элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics.

Принцип работы полевого МОП-транзистора MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) основан на дрейфе основных носителей заряда через проводящий слой - канал, в результате действия перпендикулярного току электрического поля. В зависимости от того, какой тип носителей заряда является в транзисторе основным, различают каналы р-типа и n-типа.

Некоторые MOSFET-транзисторы p-типа от STMicroelectronics представлены в таблице 1, n-типа - в таблице 2.

Таблица 1. P-канальные MOSFET 

Наименование

V(BR) CES, В

IC (cont), А @25°C

RDS(on),Ом

STS3PM150N

-150

-2,5

0,24

STB16PF06LT4

-60

-16

0,16

STx12PF06

-12

0,2

STx10PF06

-10

0,2

STN3PF06

-2,5

0,2

STT2PF60L

-2

0,3

STx80PF55

-55

-80

0,018

STS7PF30L

-30

-7

0,021

STD30PF03LT4

-24

0,028

STS6PF30L

-6

0,03

STS8C5H30L

-4

0,055

STS4DPF30L

-4

0,055

STS5PF30L

-5

0,055

STS4PF30L

-3,4

0,14

STT3PF30L

-3

0,165

STS4DPF20L

-20

-4

0,055

STT4PF20V

-4

0,11

STS5PF20V

-5

0,08

STS2DPFS20V

-2

0,2

STT5PF20V

-5

0,08

STN5PF02V

-5

0,08

Примечание: RDS(on) указывается для напряжения затвор-исток = 10 В (4,5 В для серии LL; 2,7 В для серии V); Вместо x подставляется буква соответствующего типа корпуса (рисунок 2).

 
 

 

Таблица 2. N-канальные MOSFET 

Наименование

V(BR) CES, В

IC (cont), А @25°C

RDS(on),Ом

STV160NF02LT4

20

160

0,0025

STS5DNF20V

5

0,045

STS6NF20V

6

0,045

STx150NH02L

24

150

0,0035

STP130NH02L

90

0,0044

STD100NH02LT4

60

0,00480

STx95NH02L

80

0,005

STx90N02L

60

0,006

STx70N02L

60

0,008

STD50NH02LT4

50

0,0105

STx55NH2LL

40

0,0135

STD38NH02LT4

38

0,0135

STD36NH02L

36

0,0165

STK822

25

38

0,002

STx95N2LH5

80

0,0042

STK820

80

0,0065

STW200NF03

30

120

0,0028

STV300NH03L

300

0,0015

STB300NH02L

120

0,0018

STP300NH02L

120

0,0022

STV160NF03LT4

160

0,0028

STB70NF3LLT4

70

0,012

STB70NF03LT4

70

0,0095

STx50N03L

50

0,01

STS11NF30L

11

0,0105

STP75NS04Z

33

80

0,011

STP62NS04Z

62

0,015

STx270N4F3

40

120

0,0029

STB200NF04L

120

0,0035

STx200NF04

120

0,0037

STS15N4LLF3

50

15

0,007

STSJ80N4LLF3

80

0,007

STx90N4F3

80

0,0065

STV200N55F3

55

150

0,0025

STB180N55F3

120

0,0035

STP180N55F3

120

0,0038

STx60N55F3

65

0,0085

STB60N55F3

65

0,0105

STx60NF55L

60

0,015

STP80NF06

60

80

0,008

STP60NF06L

60

0,014

STx60NF06

60

0,016

STP60NF06FP

37

0,016

STx16NF06

16

0,1

2N7000

0,35

5

2N7002

0,25

5

STB160N75F3

75

120

0,0037

STx160N75F3

120

0,004

STx140NF75

120

0,0075

STE250NS10

100

200

0,0055

STE180NE10

180

0,006

STx120NF10

120

0,0105

STx40NF10L

40

0,033

STD6NF10T4

6

0,25

STN1NF10

1

0,8

STP80NF12

120

80

0,018

STP40NF12

40

0,032

STx14NF12

14

0,18

STB40NS15T4

150

40

0,052

STS5N15M3*

4,5

0,057

STx25N15M3*

25

0,057

STx110NS20FD

200

110

0,024

STx75NF20

75

0,034

STD5N20LT4

5

0,7

STW52NK25Z

250

52

0,045

STB50N25M3

40

0,065

STx50NF25

45

0,069

STW54NK30Z

300

54

0,06

STP30NM30N

30

0,09

STP12NK30Z

9

0,4

STx17NK40Z

400

15

0,25

STx11NK40Z

9

0,55

STx7NK40Z

6

1

STD2NC45-1

450

1,5

4,5

STQ1NC45R-AP

0,5

4,5

STS1DNC45

0,4

4,5

STE70NM50

500

70

0,05

STY60NM50

60

0,05

STE53NC50

53

0,08

STQ3NK50ZR-AP

0,5

3,3

STE70NM60

600

70

0,055

STY60NM60

60

0,055

STN1NK60Z

0,3

15

STx20NM65N

650

19

0,190

STx15NM65N

12,5

0,27

STx11NM65N

11

0,38

STW20NK70Z

700

19

0,3

STx10NK70Z

8

0,85

STx2NK70Z

1,6

7

STE45NK80ZD

800

45

0,13

STW18NK80Z

17

0,38

STx11NM80

11

0,4

STE40NK90ZD

900

40

0,17

STE30NK90Z

30

0,3

STY30NK90Z

26

0,3

STW13NK100Z

1000

12

0,7

STW11NK100Z

10,5

1,38

STx8NK100Z

6,3

2

STP5N120

1200

4,4

3,5

STx1N120

0,5

38

STW9N150

1500

8

2,7

STx4N150

4

7

STx3N150

2,5

12

 

Использование различных технологий изготовления позволяет охватить большой диапазон напряжений, токов, быстродействий и выбрать MOSFET с наиболее выгодными параметрами. По технологии STripFETTM изготавливаются транзисторы с очень малым сопротивлением в открытом состоянии (порядка нескольких миллиом), что позволяет при относительно небольших размерах коммутировать токи свыше 100 А. Технология PowerMeshTM ставит акцент на высокое быстродействие и малый заряд затвора, что необходимо для создания импульсных источников питания, сварочных инверторов, ИБП и высокочастотных электроприводов. MDmeshTM-технология сочетает в MOSFET-полупроводнике высокое быстродействие и небольшое сопротивление открытого состояния. Высоковольтные транзисторы линеек изготавливаются по технологии SuperMeshTM.

Способ кодирования наименования MOSFET представлен на рисунке 1

 

Кодирование наименования MOSFET

 

Рис. 1. Кодирование наименования MOSFET

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) - является продуктом развития технологии силовых транзисторов MOSFET и сочетает в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Сочетание двух приборов в одной структуре позволило объединить достоинства полевых и биполярных транзисторов: высокое входное сопротивление с высокой токовой нагрузкой и малым сопротивлением во включенном состоянии.

Для IGBT с номинальным напряжением в диапазоне 600...1200 В в полностью включенном состоянии прямое падение напряжения, так же как и для биполярных транзисторов, находится в диапазоне 1,5...3,5 В. Это значительно меньше, чем характерное падение напряжения на силовых MOSFET в проводящем состоянии с такими же номинальными напряжениями.

С другой стороны, MOSFET c номинальными напряжениями 200 В и меньше имеют более низкое значение напряжения во включенном состоянии, чем IGBT, и остаются непревзойденными в этом отношении в области низких рабочих напряжений и коммутируемых токов до 50 А.

По быстродействию IGBT уступают MOSFET, но значительно превосходят биполярные. Типичные значения времени рассасывания накопленного заряда и спадания тока при выключении IGBT находятся в диапазонах 0,2...0,4 и 0,2...1,5 мкс, соответственно.

IGBT компании STMicroelectronics, по ведущему параметру можно разделить на несколько больших групп:

IGBT с малым падением напряжения представлены в таблице 3. Отличная проводимость в режиме насыщения снижает тепловыделение транзисторов и позволяет применять их в сильноточных приложениях, таких как низкочастотные электроприводы (до 1 кГц), диммеры освещения, драйверы газоразрядных ламп и сварочное оборудование.

Таблица 3. IGBT с малым падением напряжения

Наименование

V(BR) CES, В

IC (cont), А @100°C

VCE(sat) typ, В

 

Корпус

STGB3NB60SDT4

600

3

1,15

D2PAK

STGD3NB60SDT4

3

1,15

DPAK

STGD3NB60SD-1

3

1,15

IPAK

STGF7NB60SL

7

1,10

TO-220FP

STGD7NB60SL

10

1,10

DPAK

STGP10NB60SFP

7

1,15

TO-220FP

STGD7NB60ST4

10

1,10

DPAK

STGB10NB60ST4

10

1,25

D2PAK

STGP10NB60S

10

1,25

TO-220

STGF20NB60S

13

0,95

TO-220FP

STGW35NB60SD

35

0,95

TO-247

STGE200NB60S

150

1,20

ISOTOP

STGD5NB120SZT4

1200

5

1,25

DPAK

STGD5NB120SZ-1

5

1,25

IPAK

Примечание: FSW (MAX) = 1 кГц F = 1 кГц

 

STMicroelectronics также предлагает новое поколение IGBT, разработанных с применением технологии PowerMeshTM, с успехом используемой в MOSFET-транзисторах. Основные преимущества новых IGBT-транзисторов: снижено VCE(sat) (напряжение насыщения КЭ), увеличен IC (ток коллектора), возросла скорость переключения. Семейство IGBT-транзисторов с низким напряжением насыщения можно идентифицировать по суффиксу «S» в наименовании.

Расширение диапазона рабочих частот ШИМ ведет к росту динамических потерь. Применение быстродействующих IGBT (таблица 4) для приложений, требующих более высокой скорости переключений (до 100 кГц), например, высокочастотных инверторов, импульсных источников питания и корректоров коэффициента мощности (в том числе с резонансной топологией), источников бесперебойного питания, электроприводов, позволяет минимизировать динамические потери и снизить тепловыделение.

Таблица 4. Быстродействующие IGBT

Наименование

FSW (MAX), кГц

V(BR) CES, В

IC (cont), А @100°C

VCE(sat) typ, В

 

Корпус

STGD10NC60SD

10

600

10

1,3

DPAK

STGP19NC60S

20

1,3

TO-220

STGP30NC60S

30

1,3

TO-220

STGF6NC60HD

50

3

1,75

TO-220FP

STGF10NC60HD

6

1,75

TO-220FP

STGF7NC60HD

7

1,75

TO-220FP

STGF19NC60HD

10

1,75

TO-220FP

STGB10NC60HD

10

1,75

D2PAK

STGP10NC60HD

10

1,75

TO-220

STGD7NC60HT4

14

1,75

DPAK

STGP7NC60H

14

1,75

TO-220

STGB19NC60HD

19

1,75

D2PAK

STGP19NC60H

19

1,75

TO-220

STGY40NC60VD

50

1,75

Max247

STGE50NC60VD

50

1,75

ISOTOP

STGJ50NC60VD

50

1,75

TO-264

STGF3NC120HD

1200

3

2,30

TO-220FP

STGFL6NC60D

100

600

3

2,10

TO-220FP

STGDL6NC60D

6

2,10

DPAK

STGBL6NC60D

6

2,10

D2PAK

STGPL6NC60D

6

2,10

TO-220

STGF19NC60WD

7

2,0

TO-220FP

STGP19NC60WD

19

2,0

TO-220

STGW19NC60W

19

2,0

TO-247

STGP30NC60W

30

1,90

TO-220

STGW30NC60W

30

1,90

TO-247

STGW50NC60W

55

1,90

TO-247

STGY50NC60WD

55

1,90

Max247

STGE50NC60W

55

1,90

ISOTOP

STGJ50NC60W

55

1,90

 

TO-264

 

Для работы в режиме тяжелого переключения (при большом токе и высоком напряжении одновременно), в схемах импульсных источников питания и корректоров коэффициента мощности с резонансной топологией, для высокочастотных приводов электродвигателя хорошо применима серия «К» - IGBT, устойчивые к короткому замыканию длительностью до 10 мкс (таблица 5).

Таблица 5. IGBT, устойчивые к короткому замыканию

Наименование

V(BR) CES, В

IC (cont), А @100°C

VCE(sat) typ, В

Корпус

STGF8NC60KD

600

4

1,90

TO220-FP

STGD8NC60KT4

8

1,90

DPAK

STGB8NC60KDT4

8

1,90

D2PAK

STGP8NC60KD

8

1,90

TO-220

STGF10NC60KD

6

2,0

TO-220FP

STGD10NC60KDT4

10

2,0

DPAK

STGB10NC60KT4

10

2,0

D2PAK

STGP10NC60K

10

2,0

TO-220

STGF14NC60KD

7

1,85

TO-220FP

STGD14NC60KT4

14

1,85

DPAK

STGB14NC60KT4

14

1,85

D2PAK

STGP14NC60KD

14

1,85

TO-220

STGF19NC60KD

10

1,85

TO-220FP

STGB19NC60KD

19

1,85

D2PAK

STGP19NC60K

19

1,85

TO-220

STGB30NC60K

30

1,85

D2PAK

STGP30NC60K

30

1,85

TO-220

STGW30NC60KD

30

1,85

TO-247

STGW40NC60KD

40

1,85

TO-247

STGW30NC120KD

1200

30

2,10

TO-247

Примечание: FSW (MAX) = 50 кГц F = 50 кГц

Способ кодирования наименования IGBT представлен на рисунке 2.

 

Кодирование наименования IGBT 

Рис. 2. Кодирование наименования IGBT

Широкая номенклатура MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics, охватывает практически все области применения коммутационных полупроводников. Более детальную информацию по номенклатуре и параметрам MOSFET и IGBT можно найти на сайте http://www.st.com в разделе Products/Transistors.

 
 


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП