Категория продукта

 МОП-транзистор

Производитель

 Toshiba

Технология

 Si

Вид монтажа

 Through Hole

Корпус

 TO-220-3

Количество каналов

 1 Channel

Полярность транзистора

 P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 - 250 V

Id - непрерывный ток утечки

 - 5 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 1.25 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

 20 V

Минимальная рабочая температура

 - 55 C

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Конфигурация

 Single

Канальный режим

 Enhancement

Время спада

 9 ns

Высота

 15.1 mm

Длина

 10.16 mm

Pd - рассеивание мощности

 30 W

Время нарастания

 16 ns

Серия

 2SJ512

Тип транзистора

 1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

 50 ns

Типичное время задержки при включении

 15 ns

Ширина

 4.45 mm