Один из ведущих
поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических
микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных
МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia
со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды)
Тип диода
импульсный
Монтаж
SMD
Обратное напряжение
макс.
300В
Падение напряжения
при If
0.95В
Прямой ток
250мА
Время готовности
50нс
Конструкция диода
одиночный диод
Характеристики
полупроводниковых элементов
быстрый диод
Корпус
SOD523
Импульсный ток
4.5А
Диод Шоттки Полупроводниковый диод с малым падением напряжения при
прямом включении. Диоды Шоттки используют переход
металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода,
как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение выпускаемых
диодов Шоттки ограничено 1200 В, на практике большинство диодов
Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении
порядка единиц и нескольких десятков вольт. их основные преимущества
- сниженное (по сравнению с «обычными» кремниевыми диодами) прямое
падение напряжения и отсутствие накопления заряда, задерживающего
выключение диода (т.е. потенциально лучшие частотные свойства).
Поставляемые компоненты
^ Наверх
Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина
