Один из ведущих
поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических
микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных
МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia
со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды)
Производитель
NEXPERIA
Тип диода
импульсный Шоттки
Монтаж
SMD
Обратное напряжение
макс.
50В
Падение напряжения
при If
900мВ
Прямой ток
200мА
Время готовности
4нс
Конструкция диода
одиночный диод
Корпус
MiniMELF, SOD80
Импульсный ток
5А
Диод Шоттки Полупроводниковый диод с малым падением напряжения при
прямом включении. Диоды Шоттки используют переход
металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода,
как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение выпускаемых
диодов Шоттки ограничено 1200 В, на практике большинство диодов
Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении
порядка единиц и нескольких десятков вольт. их основные преимущества
- сниженное (по сравнению с «обычными» кремниевыми диодами) прямое
падение напряжения и отсутствие накопления заряда, задерживающего
выключение диода (т.е. потенциально лучшие частотные свойства).
Поставляемые компоненты
^ Наверх DIV >
Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина