КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
пассивные
SMD-компоненты |
конденсаторы |
SMD-конденсаторы:
0402,
0603,
0805,
1206
SMD-резисторы:
0201,
0402,
0603,
0805,
1206,
2010,
2512
прецизионные
низкоомные
резисторные сборки
SMD-индуктивности: 0603,
0805,
1206 |
высоковольтная
керамика /
керамика класс Y1 и Y2 /
металлопленка
CL-21X /
металлопленка CL-21 MEF /
полипропиленовые CBB21 CBB22 /
полипропиленовые
X2-MKP /
высоковольтные CBB81 /
для двигателей
CBB61 / фазосдвигающие
CBB60E /
пусковые CBB65 /
Полистирольные конденсаторы СL11 /
Аксиальные
металлопленочные конденсаторы CL-20T /
Электролитические конденсаторы
/
Неполярные
/ Полимерные (твердотельные)
/ Тонкие для
ЖК /
Низкоимпедансные
/ Конденсаторы SMD, Серия RC |
|
![На главную страницу](../../../ugol.jpg) |
| | | ![](pic/SOT89.jpg) Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор биполярный BC868-25.115 Транзистор: NPN: биполярный: 20В: 2А: 950мВт
На складе ... Производитель: NEXPERIA Тип корпуса: SOT89 код товара: 00-00031396
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор биполярный
![Перейти в раздел - Транзистор биполярный](fotki/transistorbipolar.jpg)
| | | |
![](http://www.kosmodrom.com.ua/prod/nexperia.gif) |
Один из ведущих
поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических
микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных
МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia
со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды) |
BC868-25.115
Основные
характеристики
Тип
проводимости и конфигурация |
NPN |
Напряжение
КЭ максимальное |
20 В |
Ток
коллектора |
2 А |
Рассеиваемая
мощность |
1.35 Вт |
Граничная
рабочая частота |
145 МГц |
Коэффициент
усиления по току |
160...375 |
Примечание |
TRANSISTOR NPN 20V 1A
SOT89 |
Комплементарная
пара |
BC869-25 |
| | |
![](pic/SOT89-5.jpg)
![](../pic/TRANSISTORBIPOLAR.jpg) |
Транзистор биполярный
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки. |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Поставляемые компоненты
![](../../../brand/sumida.gif)
![](../../../brand/winstar.gif)
![](../../../brand/MW.jpg)
![](../../../brand/stm.jpg)
![](../../../IR-s.gif)
![](../../../brand/ad.jpg)
![](../../../brand/atmel.gif)
![](../../../brand/cree.jpg)
![](../../../brand/maxim-s.gif)
![](../../../brand/ons.jpg)
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП