Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину конденсаторы - выборка по номиналу ёмкости перейти в раздел "Конденсаторы" 0,033mkf - 0,047mkf - 0,068mkf - 0,01mkf - 0,1mkf - 0,22mkf - 0,33mkf - 0,47mkf - 0,68mkf - 1mkf - 2,2mkf - 3,3mkf - 4,7mkf - 10mkf - 22mkf - 33mkf - 47mkf - 68mkf - 82mkf - 100mkf - 120mkf - 150mkf - 220mkf - 330mkf - 470mkf - 560mkf - 680mkf - 820mkf - 1000mkf - 1500mkf - 2200mkf - 3300mkf - 4700mkf - 6800mkf - 10000mkf - 15000mkf - 22000mkf - 33000mkf - 47000mkf - 68000mkf - 100000mkf - 220000mkf - 330000mkf - 470000mkf - 680000mkf - 1000000mkf Ёмкость, мкф Все 0,033 0,047 0,068 0,01 0,1 0,22 0,33 0,47 0,68 1 2,2 3,3 4,7 10 22 33 47 68 82 100 120 150 220 330 470 560 680 820 1000 1500 2200 3300 4700 6800 10000 15000 22000 33000 47000 68000 100000 220000 330000 470000 680000 1000000 Напряжение, В Все 6,3v 10v 16v 25v 35v 50v 63v 100v 160v 200v 250v 350v 400v 450v Диаметр, мм Все 3 4 5 6,3 8 10 11 12 12.5 13 16 18 22 25 30 34 35 40 51 64 76 89 90

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор биполярный BCW60D.215 Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 32 В: IК(макс): 100 мА: Pрасс: 250 мВт: Fгран: 100 МГц: h21: 380...630 На складе ... Производитель: NXP Тип корпуса: SOT23 код товара: 00-00031428 СКАЧАТЬ PDF Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 224 шт от 961 шт 3,00 2,24 2,08 Раздел: Транзистор биполярный   Основные характеристики Тип проводимости и конфигурация NPN Напряжение КЭ максимальное 32 В Ток коллектора 100 мА Рассеиваемая мощность 250 мВт Граничная рабочая частота 100 МГц Коэффициент усиления по току 380...630     Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки. Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП