КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
пассивные
SMD-компоненты |
конденсаторы |
SMD-конденсаторы:
0402,
0603,
0805,
1206
SMD-резисторы:
0201,
0402,
0603,
0805,
1206,
2010,
2512
прецизионные
низкоомные
резисторные сборки
SMD-индуктивности: 0603,
0805,
1206 |
высоковольтная
керамика /
керамика класс Y1 и Y2 /
металлопленка
CL-21X /
металлопленка CL-21 MEF /
полипропиленовые CBB21 CBB22 /
полипропиленовые
X2-MKP /
высоковольтные CBB81 /
для двигателей
CBB61 / фазосдвигающие
CBB60E /
пусковые CBB65 /
Полистирольные конденсаторы СL11 /
Аксиальные
металлопленочные конденсаторы CL-20T /
Электролитические конденсаторы
/
Неполярные
/ Полимерные (твердотельные)
/ Тонкие для
ЖК /
Низкоимпедансные
/ Конденсаторы SMD, Серия RC |
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор биполярный BD241C Транзистор: NPN: биполярный: 100В: 3А: 40Вт
На складе ... Производитель: ST Тип корпуса: TO-220 код товара: 00-00031460
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор биполярный
| | | |
|
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна
из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей
различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных
компонентов |
Категория продукта |
Биполярные
транзисторы - BJT |
Конфигурация |
Single
|
Полярность
транзистора |
NPN |
Напряжение
коллектор-эмиттер (VCEO), макс. |
100 V
|
Напряжение
эмиттер-база (VEBO) |
5 V |
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер |
1.2 V
|
Максимальный
постоянный ток коллектора |
3 A |
Максимальная рабочая
температура |
+ 150 C
|
Вид монтажа |
Through Hole
|
Корпус |
TO-220-3
|
Коллектор
постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) |
25 |
Коэффициент усиления
по постоянному току (hFE), макс. |
25 |
Максимальное
рассеяние мощности |
2000 mW
|
Минимальная рабочая
температура |
- 65 C |
| | |
|
Транзистор биполярный
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки. |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП