Технология
фотоэлектрического обнаружения основана на использовании светового луча
для определения наличия или отсутствия объекта. Фотоэлектрические
датчики являются оптимальной альтернативой применению индуктивных
датчиков на больших дистанциях обнаружения, или если обнаруживаемые
объекты изготовлены из материалов, отличных от металла.
Фотоэлектрические датчики общего назначения разработаны с применением
последних технологий фотоэлектрического обнаружения и широко применяются
в различных областях промышленности благодаря высокой эффективности,
качеству, функциональной гибкости, надежности и доступной цене. Все эти
качества в совокупности позволяют говорить о фотодатчиках Autonics как
об одном из лучших предложений на рынке.
Характеристики:
Принцип работы: На пересечение луча
Расстояние срабатывания: 10м
Объект обнаружения: Непрозрачные материалы с мин. Ø16мм
Источник света: Инфракрасный LED (850нм)
Время срабатывания: Макс. 1мс
Напряжение питания: 12-24V DC ±10% (пульсации P-P: макс. 10%)
Потребляемый ток: Излучатель/приёмник: макс. 50мА
Режим работы: На свет / на затемнение (устанавливается переключателем)
Управляющий выход: Одновременный вывод данных через выходы PNP/NPN с
открытым коллектором
Окружающее освещение: Солнечный свет - не более
11000лк, лампа накаливания - не более 3000лк (засветка приемника)
Способ подключения: Кабель (Ø5мм, 2м)
Рабочая температура: -20…+65С
Степень защиты: IP50
Комплектующие: регулировочная отвертка, крепежный кронштейн, болты,
гайки |