Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
Производитель
Infineon
Категория продукта
РЧ биполярные
транзисторы
Тип транзистора
Bipolar
Технология
SiGe
Рабочая частота
45 GHz
Напряжение
коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
4 V
Напряжение
эмиттер-база (VEBO)
1.2 V
Непрерывный
коллекторный ток
25 mA
Рабочая температура
- 55 C ... + 150
C
Вид монтажа
SMD/SMT
Тип корпуса
TSFP-4-1
Напряжение
коллектор-база (VCBO)
13 V
Коэффициент усиления
по постоянному току (hFE), макс.
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки.
.jpg)
