КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Низкопрофильные источники питания серий LRS мощностью
35, 50, 75, 100, 150, 200 и 350 Вт
LRS-35 LRS-50 LRS-75 LRS-100 LRS-150 LRS-200 LRS-350

     

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор биполярный
BSR19A
Транзистор: NPN: биполярный: 160В: 300мА: 250мВт: SOT23

На складе ...
Производитель: NXP
Тип корпуса: SOT23
код товара: 00-00045825

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 74 шт
от 319 шт

8,00
6,74
6,28

Раздел:
Транзистор биполярный


 

Производитель

 NXP

Категория продукта

 Биполярные транзисторы - BJT

Торговая марка

 NXP Semiconductors

Конфигурация

 Single

Полярность транзистора

 NPN

Напряжение коллектор-база (VCBO)

 180 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

 160 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

 6 V

Максимальный постоянный ток коллектора

 600 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

 300 MHz

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Вид монтажа

 SMD/SMT

Упаковка / блок

 SOT-23

Непрерывный коллекторный ток

 300 mA

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

 80

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

 80 at 1 mA at 5 V

Максимальное рассеяние мощности

 250 mW

Минимальная рабочая температура

 - 65 C

Другие названия товара №

 BSR19A T/R

 
 






Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзистор биполярный


Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки.

Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП