CRSS028N10N – это MOSFET-транзистор, предназначенный для использования в различных приложениях, требующих высоких токов и низкого сопротивления в открытом состоянии.

Основные характеристики CRJT99N65G2:
Тип транзистора: MOSFET (Металло-Оксидный Полупроводниковый Полевой Транзистор)
Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
Непрерывный ток стока: 180 А
Мощность рассеивания: 227 Вт
Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): Максимум 2.5 Ом при 10 В
Корпус: TO-263

Применение:
Импульсные источники питания: Используется в схемах преобразования и управления мощностью.
Инверторы и преобразователи: Применяется в различных преобразователях энергии.
Промышленные системы: Подходит для использования в промышленных системах, где требуется высокая надежность и эффективность.
Силовая электроника: Используется в схемах управления и распределения электрической энергии.
Автомобильная электроника: Применяется в различных автомобильных системах для управления мощностью.