Каталог продукции от CRMICRO - MOSFET, IGBT
Компания является ведущим китайским предприятием по производству полупроводников, способным комплексно выполнять всю производственную цепочку, такую ​​как проектирование интегральных схем, производство пластин, испытания корпусов и так далее. В настоящее время основной бизнес можно поделить на два сектора: продукты и решения, создание и сервисы. Компания может самостоятельно разрабатывать продукцию и контролировать производственный процесс. Кроме того, компания обладает сильными возможностями в области технологии и производственного процесса в области дискретных устройств и интегральных схем.

Корпус

 TO-220

Напряжение сток-исток (Drain to Source Voltage)

 85 В

Постоянный ток стока (Current - Continuous Drain(Id))

 120 А

Мощность рассеивания (Pd - Power Dissipation)

 189 Вт

Сопротивление сток-исток (RDS(on))

 4.9 мОм @ 10 В, 50 А

Пороговое напряжение затвора (Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id))

 4 В

Обратная передающая ёмкость (Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds))

 33 пФ @ 42.5 В

Тип

 1 N-канальный

Входная ёмкость (Input Capacitance (Ciss@Vds))

 4027 пФ @ 42.5 В

Заряд затвора (Gate Charge (Qg))

 64 нКл @ 10 В.