Каталог продукции от CRMICRO - MOSFET, IGBT
Компания является ведущим китайским предприятием по производству полупроводников, способным комплексно выполнять всю производственную цепочку, такую ​​как проектирование интегральных схем, производство пластин, испытания корпусов и так далее. В настоящее время основной бизнес можно поделить на два сектора: продукты и решения, создание и сервисы. Компания может самостоятельно разрабатывать продукцию и контролировать производственный процесс. Кроме того, компания обладает сильными возможностями в области технологии и производственного процесса в области дискретных устройств и интегральных схем.

Тип корпуса

 TO-252-2

Тип

 1 N-канальный MOSFET

Напряжение сток-исток (Vds)

 30 В

Постоянный ток стока (Id)

 80 А

Сопротивление сток-исток (Rds On, макс.) @ Vgs, Id

 3.1 мОм @ 10 В, 30 А

Рассеиваемая мощность (Pd, макс.)

 101 Вт

Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) @ Id

 1.8 В

Обратная передающая емкость (Crss) @ Vds

 300 пФ @ 30 В

Входная емкость (Ciss) @ Vds

 2343 пФ @ 30 В

Заряд затвора (Qg) @ Vgs

 50 нКл @ 10 В

Температурный диапазон эксплуатации

 -55°C ~ +150°C