КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

 

пассивные SMD-компоненты

конденсаторы

SMD-конденсаторы: 0402, 0603, 0805, 1206
SMD-резисторы: 0201, 0402, 0603, 0805, 1206, 2010, 2512
 прецизионные низкоомные резисторные сборки
SMD-индуктивности: 0603, 0805, 1206

высоковольтная керамика / керамика класс Y1 и Y2 / металлопленка CL-21X / металлопленка CL-21 MEF / полипропиленовые CBB21 CBB22 / полипропиленовые X2-MKP / высоковольтные CBB81 / для двигателей CBB61 / фазосдвигающие CBB60E / пусковые CBB65 / Полистирольные конденсаторы СL11 / Аксиальные металлопленочные конденсаторы CL-20T / Электролитические конденсаторы / Неполярные / Полимерные (твердотельные) / Тонкие для ЖК / Низкоимпедансные / Конденсаторы SMD, Серия RC

 

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
 Транзистор полевой MOSFET
CSD19536KCS
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
На складе ...
Производитель: TI
Тип корпуса: TO-220
код товара: 00-00068203

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 5 шт
от 21 шт


от 42 шт

117,50
103,82
97,12

92,26
Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
 

Texas Instruments — американская компания, производитель полупроводниковых приборов, микросхем, электроники и изделий на их основе. Расположена в Далласе

Технология

 Si

Вид монтажа

 Through Hole

Полярность транзистора

 N-Channel

Количество каналов

 1 Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 100 V

Id - непрерывный ток утечки

 259 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 2.7 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

 - 20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

 2.1 V

Qg - заряд затвора

 118 nC

Минимальная рабочая температура

 - 55 C

Максимальная рабочая температура

 + 175 C

Pd - рассеивание мощности

 375 W

Канальный режим

 Enhancement

Конфигурация

 Single

Время спада

 5 ns

Высота

 16.51 mm

Длина

 10.67 mm

Время нарастания

 8 ns

Серия

 CSD19536KCS

Тип транзистора

 1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

 38 ns

Типичное время задержки при включении

 14 ns

Ширина

 4.7 mm

Вес изделия

 2 g

 
 

Мы рекомендуем покупать с этим товаром

Rubber CAP TO-220 - Изоляционный материал
Изоляционный силиконовый кожух для компонетов в корпусе ТО-220
TC-025-CERAMIC-TO-220 - Изоляционный материал
Керамическая пластина из (алюмооксидной керамики) Al2O3 для высокотемпературного применения. Применение: ТО-220. Размеры: (0.635)/1mm*14mm*20mm
NIPPEL-TO220-WHITE - Изоляционный материал
Изоляционная втулка для TO220
SMICA TO220 - Изоляционный материал
Прокладка силиконовая 18x13мм для TO220
TO220-SET - Изоляционный материал
Набор для изоляции транзисторов TO220
Mica Sheet (HOLE) 13x18x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 13x18 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа

Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзистор полевой MOSFET

Полевой транзистор с изолированным затвором.
MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим полем). Это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора очень высокое входное сопротивление.
Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе
Код Технология Транзистор Uds Id Idm Rоткр. Рассеиваемая мощность Ugs Ugs QG Корпус
      [В] [А] [А] [мОм] [Вт] [В] [В] [нC]  
CSD18511KTT NexFET N-MOSFET 40 110 400 4,2 188 ±20 - - D2PAK
CSD18511KTTT NexFET N-MOSFET 40 110 400 4,2 188 ±20 - - D2PAK
CSD18510KTT NexFET N-MOSFET 40 200 400 2,6 250 ±20 - - D2PAK
CSD18510KTTT NexFET N-MOSFET 40 200 400 2,6 250 ±20 - 119 D2PAK
CSD18535KTT NexFET N-MOSFET 60 200 400 2,9 300 ±20 - - D2PAK
CSD18535KTTT NexFET N-MOSFET 60 200 400 2,9 300 ±20 - 63 D2PAK
CSD18536KTT NexFET N-MOSFET 60 200 400 2,2 375 ±20 - - D2PAK
CSD18536KTTT NexFET N-MOSFET 60 200 400 2,2 375 ±20 - 108 D2PAK
CSD18542KTT NexFET N-MOSFET 60 200 400 5,1 250 ±20 - - D2PAK
CSD18542KTTT NexFET N-MOSFET 60 200 400 5,1 250 ±20 - 44 D2PAK
CSD19505KTT NexFET N-MOSFET 80 200 400 3,8 300 ±20 - - D2PAK
CSD19505KTTT NexFET N-MOSFET 80 200 400 3,8 300 ±20 - - D2PAK
CSD19506KTT NexFET N-MOSFET 80 200 400 2,8 375 ±20 - - D2PAK
CSD19506KTTT NexFET N-MOSFET 80 200 400 2,8 375 ±20 - - D2PAK
CSD19532KTT NexFET N-MOSFET 100 200 400 6,6 250 ±20 - - D2PAK
CSD19532KTTT NexFET N-MOSFET 100 200 400 6,6 250 ±20 - 44 D2PAK
CSD19535KTT NexFET N-MOSFET 100 200 400 4,1 300 ±20 - - D2PAK
CSD19535KTTT NexFET N-MOSFET 100 200 400 4,1 300 ±20 - 75 D2PAK
CSD19536KTT NexFET N-MOSFET 100 200 400 2,8 375 ±20 - - D2PAK
CSD19536KTTT NexFET N-MOSFET 100 200 400 2,8 375 ±20 - 118 D2PAK
CSD13302WT NexFET N-MOSFET 12 1,6 29 25,8 1,8 ±10 - - DSBGA4
CSD23202W10T NexFET P-MOSFET -12 -2,2 -25 123 1 ±6 - - DSBGA4
CSD13306WT NexFET N-MOSFET 12 3,5 44 15,5 1,9 ±10 - - DSBGA6
CSD23203WT NexFET P-MOSFET -8 -3 -54 53 0,75 ±6 - - DSBGA6
CSD25304W1015T NexFET P-MOSFET -20 -3 -41 92 0,75 ±8 - - DSBGA6
CSD75208W1015T NexFET P-MOSFET x2 -20 -1,6 -22 150 0,75 ±6 - - DSBGA6
CSD22204WT NexFET P-MOSFET -8 -5 -80 14 1,7 ±6 - - DSBGA9
CSD22206WT NexFET P-MOSFET -8 -5 -108 9,1 1,7 ±6 - - DSBGA9
CSD25202W15T NexFET P-MOSFET -20 -4 -38 52 0,5 ±6 - - DSBGA9
CSD87335Q3DT NexFET N-MOSFET x2 30 25 - - 1,5 ±10 - 5,7/10,7 LSON-CLIP8
CSD15380F3T NexFET N-MOSFET 20 0,9 1,6 4000 1,4 ±10 - - PICOSTAR3
CSD17483F4T NexFET N-MOSFET 30 1,5 5 550 0,5 ±12 - - PICOSTAR3
CSD13381F4T NexFET N-MOSFET 12 2,1 7 400 0,5 ±8 - - PICOSTAR3
CSD18541F5T NexFET N-MOSFET 60 2,2 21 75 0,5 ±20 - - PICOSTAR3
CSD17382F4T NexFET N-MOSFET 30 2,3 14,8 180 0,5 ±10 - - PICOSTAR3
CSD13383F4T NexFET N-MOSFET 12 2,9 18,5 65 0,5 ±10 - - PICOSTAR3
CSD17484F4T NexFET N-MOSFET 30 3 18 270 0,5 ±12 - - PICOSTAR3
CSD17381F4T NexFET N-MOSFET 30 3,1 12 250 0,5 ±12 - - PICOSTAR3
CSD13380F3T NexFET N-MOSFET 12 3,6 13,5 135 1,4 ±8 - - PICOSTAR3
CSD17585F5T NexFET N-MOSFET 30 5,9 34 33 1,4 ±20 - - PICOSTAR3
CSD13385F5 NexFET N-MOSFET 12 7,1 41 50 1,4 ±8 - - PICOSTAR3
CSD13385F5T NexFET N-MOSFET 12 7,1 41 50 1,4 ±8 - - PICOSTAR3
CSD23285F5T NexFET P-MOSFET -12 -5,4 -31 130 1,4 ±6 - - PICOSTAR3
CSD25485F5T NexFET P-MOSFET -20 -5,3 -31 250 1,4 ±12 - - PICOSTAR3
CSD25501F3T NexFET P-MOSFET -20 -3,6 -13,6 260 0,5 ±20 - - PICOSTAR3
CSD23382F4T NexFET P-MOSFET -12 -3,5 -22 199 0,5 ±8 - - PICOSTAR3
CSD25481F4T NexFET P-MOSFET -20 -2,5 -13,1 800 0,5 ±12 - - PICOSTAR3
CSD25484F4T NexFET P-MOSFET -20 -2,5 -22 825 0,5 ±12 - - PICOSTAR3
CSD23381F4T NexFET P-MOSFET -12 -2,3 -9 970 0,5 ±8 - - PICOSTAR3
CSD25480F3T NexFET P-MOSFET -20 -1,7 -10,6 840 0,5 ±12 - - PICOSTAR3
CSD25483F4T NexFET P-MOSFET -20 -1,6 -6,5 1070 0,5 ±12 - - PICOSTAR3
CSD23280F3T NexFET P-MOSFET -12 2,9 11,4 399 1,4 ±6 - - PICOSTAR3
CSD85302LT NexFET N-MOSFET x2 20 - - 36 1,7 ±10 - - PICOSTAR4
CSD22205LT NexFET P-MOSFET -8 -7,4 -71 40 0,6 ±6 - - PICOSTAR4
CSD88537NDT NexFET N-MOSFET x2 60 15 - 12,5 2,1 ±20 - 14 SO8
CSD88539NDT NexFET N-MOSFET x2 60 15 - 23 2,1 ±20 - 7,2 SO8
TPS1100D - P-MOSFET -15 -0,72 7 180 - ±15 - 5,45 SO8
TPS1120D - P-MOSFET x2 -15 -0,53 7 180 - ±15 - 5,45 SO8
CSD17308Q3 NexFET N-MOSFET 30 50 167 12,5 2,7 ±10 - 3,9 VSON-CLIP8
CSD17308Q3T NexFET N-MOSFET 30 50 167 9,4 2,7 ±10 - 3,9 VSON-CLIP8
CSD19537Q3T NexFET N-MOSFET 100 50 - 12,1 83 ±20 - 16 VSON-CLIP8
CSD16327Q3T NexFET N-MOSFET 25 60 240 6,5 74 - -8...10 - VSON-CLIP8
CSD17575Q3T NexFET N-MOSFET 30 60 - 2,6 108 ±20 - 23 VSON-CLIP8
CSD16401Q5T NexFET N-MOSFET 25 100 240 2,3 156 - -12...16 - VSON-CLIP8
CSD16415Q5T NexFET N-MOSFET 25 100 200 1,8 156 - -12...16 - VSON-CLIP8
CSD16570Q5BT NexFET N-MOSFET 25 100 - 0,68 195 ±20 - 95 VSON-CLIP8
CSD17556Q5BT NexFET N-MOSFET 30 100 400 1,8 191 ±20 - - VSON-CLIP8
CSD17559Q5T NexFET N-MOSFET 30 100 400 1,5 96 ±20 - - VSON-CLIP8
CSD17570Q5BT NexFET N-MOSFET 30 100 - 0,74 - ±20 - 93 VSON-CLIP8
CSD17573Q5BT NexFET N-MOSFET 30 100 - 1190 195 ±20 - 49 VSON-CLIP8
CSD17576Q5BT NexFET N-MOSFET 30 100 - 2,4 125 ±20 - 25 VSON-CLIP8
CSD18502Q5BT NexFET N-MOSFET 40 100 - 2,5 156 ±20 - 25 VSON-CLIP8
CSD18509Q5BT NexFET N-MOSFET 40 100 - 1 195 ±20 - 15 VSON-CLIP8
CSD18510Q5BT NexFET N-MOSFET 40 100 - 0,79 156 ±20 - 118 VSON-CLIP8
CSD18512Q5BT NexFET N-MOSFET 40 100 400 2,3 139 ±20 - - VSON-CLIP8
CSD18532NQ5BT NexFET N-MOSFET 60 100 - 2,7 156 ±20 - 49 VSON-CLIP8
CSD18532Q5BT NexFET N-MOSFET 60 100 - 2,5 156 ±20 - 44 VSON-CLIP8
CSD18540Q5BT NexFET N-MOSFET 60 100 - 1,8 188 ±20 - 41 VSON-CLIP8
CSD19502Q5BT NexFET N-MOSFET 80 100 - 3,4 195 ±20 - 48 VSON-CLIP8
CSD19532Q5BT NexFET N-MOSFET 100 100 - 4 195 ±20 - 48 VSON-CLIP8
CSD25404Q3T NexFET P-MOSFET -20 -60 - 5,5 96 ±12 - 10,9 VSON-CLIP8
CSD19538Q3AT NexFET N-MOSFET 100 15 - 49 23 ±20 - 4,3 VSONP8
CSD17578Q3AT NexFET N-MOSFET 30 20 - 8,2 37 ±20 - 7,9 VSONP8
CSD17579Q5AT NexFET N-MOSFET 30 25 - 11,6 36 ±20 - 5,4 VSONP8
CSD17577Q3AT NexFET N-MOSFET 30 35 - 5,3 53 ±20 - 12 VSONP8
CSD18543Q3AT NexFET N-MOSFET 60 35 - 8,1 66 ±20 - 11,1 VSONP8
CSD18504Q5AT NexFET N-MOSFET 40 50 - 7,5 77 ±20 - 7,7 VSONP8
CSD18514Q5AT NexFET N-MOSFET 40 50 - 4,1 74 ±20 - 29 VSONP8
CSD18534Q5AT NexFET N-MOSFET 60 50 - 7,8 77 ±20 - 17 VSONP8
CSD18537NQ5AT NexFET N-MOSFET 60 50 - 10 75 ±20 - 14 VSONP8
CSD19534Q5A NexFET N-MOSFET 100 50 - 12,6 63 ±20 - 17 VSONP8
CSD19534Q5AT NexFET N-MOSFET 100 50 - 12,6 63 ±20 - 17 VSONP8
CSD17581Q3AT NexFET N-MOSFET 30 60 - 3,9 63 ±20 - 20 VSONP8
CSD18503Q5AT NexFET N-MOSFET 40 100 - 4,7 120 ±20 - 13 VSONP8
CSD18511Q5AT NexFET N-MOSFET 40 100 - 1,9 104 ±20 - 63 VSONP8
CSD18531Q5A NexFET N-MOSFET 60 100 - 3,5 156 ±20 - 36 VSONP8
CSD18531Q5AT NexFET N-MOSFET 60 100 - 3,5 156 ±20 - 36 VSONP8
CSD18533Q5AT NexFET N-MOSFET 60 100 - 4,7 116 ±20 - 29 VSONP8
CSD18563Q5AT NexFET N-MOSFET 60 100 - 5,7 116 ±20 - 15 VSONP8
CSD19531Q5AT NexFET N-MOSFET 100 100 - 5,3 125 ±20 - 37 VSONP8
CSD19533Q5AT NexFET N-MOSFET 100 100 - 7,8 96 ±20 - 27 VSONP8
CSD25402Q3AT NexFET P-MOSFET -20 -35 -148 300 69 ±12 - - VSONP8
CSD17313Q2Q1T NexFET N-MOSFET 30 5 57 42 17 - -8...10 - WSON6
CSD17313Q2T NexFET N-MOSFET 30 5 - 26 17 ±10 - 2,1 WSON6
CSD87502Q2T NexFET N-MOSFET 30 5 - 35,5 2,3 ±20 - 2,2 WSON6
CSD17571Q2 NexFET N-MOSFET 30 7,6 - 24 2,5 ±20 - 2,4 WSON6
CSD19538Q2T NexFET N-MOSFET 100 14,4 - 49 20,2 ±20 - 4,3 WSON6
CSD17318Q2T NexFET N-MOSFET 30 21,5 68 30 16 ±10 - - WSON6
CSD85301Q2T NexFET N-MOSFET x2 20 5 26 99 2,3 ±10 - - WSON6
CSD25310Q2 NexFET P-MOSFET -20 -20 48 89 2,9 ±8 - 3,6 WSON6
CSD25310Q2T NexFET P-MOSFET -20 -20 48 89 2,9 ±8 - 3,6 WSON6
CSD18537NKCS NexFET N-MOSFET 60 50 - 11 94 ±20 - 14 TO220-3
CSD18502KCS NexFET N-MOSFET 40 100 - 2,4 259 ±20 - 52 TO220-3
CSD18504KCS NexFET N-MOSFET 40 100 - 5,5 115 ±20 - 19 TO220-3
CSD18532KCS NexFET N-MOSFET 60 100 - 3,3 250 ±20 - 44 TO220-3
CSD18533KCS NexFET N-MOSFET 60 100 - 5 192 ±20 - 28 TO220-3
CSD18534KCS NexFET N-MOSFET 60 100 164 13,3 107 ±20 - - TO220-3
CSD19501KCS NexFET N-MOSFET 80 100 - 5,5 217 ±20 - 38 TO220-3
CSD19503KCS NexFET N-MOSFET 80 100 - 7,6 188 ±20 - 28 TO220-3
CSD19531KCS NexFET N-MOSFET 100 100 - 6,4 214 ±20 - 37 TO220-3
CSD19533KCS NexFET N-MOSFET 100 100 - 8,7 188 ±20 - 27 TO220-3
CSD19534KCS NexFET N-MOSFET 100 100 - 13,7 118 ±20 - 16,4 TO220-3
CSD18511KCS NexFET N-MOSFET 40 110 400 4,2 188 ±20 - - TO220-3
CSD19505KCS NexFET N-MOSFET 80 150 - 2,6 300 ±20 - 76 TO220-3
CSD19506KCS NexFET N-MOSFET 80 150 - 2 375 ±20 - 120 TO220-3
CSD19535KCS NexFET N-MOSFET 100 150 - 3,1 300 ±20 - 78 TO220-3
CSD19536KCS NexFET N-MOSFET 100 150 - 2,3 375 ±20 - 118 TO220-3
CSD18510KCS NexFET N-MOSFET 40 200 400 2,6 250 ±20 - - TO220-3
CSD18535KCS NexFET N-MOSFET 60 200 - 1,6 300 ±20 - 63 TO220-3
CSD18536KCS NexFET N-MOSFET 60 200 - 1,3 375 ±20 - 83 TO220-3
CSD18542KCS NexFET N-MOSFET 60 200 - 3,3 200 ±20 - 44 TO220-3


Поставляемые компоненты










^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП