Производитель

 Diodes Incorporated

Технология

 Si

Вид монтажа

 SMD/SMT

Тип корпуса

 SOT-23-3

Полярность транзистора

 P-Channel

Количество каналов

 1 Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 20 V

Id - непрерывный ток утечки

 2.4 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 160 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

 - 12 V, + 12 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

 300 mV

Qg - заряд затвора

 3.4 nC

Рабочая температура

 - 55 C ... + 150 C

Pd - рассеивание мощности

 1.4 W

Канальный режим

 Enhancement

Конфигурация

 Single

Время спада

 10.5 ns

Время нарастания

 7.4 ns

Тип транзистора

 1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

 11 ns

Типичное время задержки при включении

 3.2 ns