Транзистор полевой MOSFET FDA28N50 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 28 А, 0.122 Ом На складе ... Производитель: ONS Тип корпуса: TO-3P[N] код товара: 00-00063504 СКАЧАТЬ PDF
Компания
ON Semiconductor Corporation
относится к тем производителям электронных компонентов, продукция
которых может быть использована в широком круге «общих применений».
В производстве ON
Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные
компоненты составляют приблизительно равные доли.
Корпус
TO-3PN
Конфигурация и
полярность
N
Максимальное
напряжение сток-исток
500 В
Ток стока
номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
IGBT транзистор - (Insulated
Gate Bipolar Transistor) представляет собой интегральную монолитную
структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого
транзистора. Преимуществом подобной структуры является простота
управления полевым транзистором (управление напряжением) и низкое
падение напряжения в состоянии проводимости у биполярного
транзистора