КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET FDS3890 Транзистор полевой, N-MOSFET, 80В, 4.7А, 2 канала
На складе ... Производитель: ONS Тип корпуса: SO8 код товара: 00-00067964
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
Компания
ON Semiconductor Corporation
относится к тем производителям электронных компонентов, продукция
которых может быть использована в широком круге «общих применений».
В производстве ON
Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные
компоненты составляют приблизительно равные доли. |
Производитель: |
onsemi |
Категория продукта: |
МОП-транзистор |
Технология: |
Si |
Вид монтажа: |
SMD/SMT |
Полярность
транзистора: |
N-Channel |
Количество каналов: |
2 Channel |
Vds - напряжение
пробоя сток-исток: |
80 V |
Id - непрерывный ток
утечки: |
4.7 A |
Rds Вкл -
сопротивление сток-исток: |
44 mOhms |
Vgs - напряжение
затвор-исток: |
- 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое
напряжение затвор-исток : |
2 V |
Qg - заряд затвора: |
35 nC |
Минимальная рабочая
температура: |
- 55 C |
Максимальная рабочая
температура: |
+ 175 C |
Pd - рассеивание
мощности: |
2 W |
Канальный режим: |
Enhancement
|
Конфигурация: |
Dual |
Время спада: |
12 ns |
Крутизна
характеристики прямой передачи - Мин.: |
24 S |
Время нарастания: |
8 ns |
Серия: |
FDS3890 |
| | |
|
Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор
с изолированным затвором.
MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник
Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим
полем). Это полевой транзистор, затвор
которого электрически изолирован от проводящего канала
полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора
очень высокое входное сопротивление. |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Рекомендуем для покупки с этим товаром |
|
Переходник -
Адаптер ZIF для установки микросхем в корпусе SOIC8, с шириной корпуса
150 mil, шагом выводов 1,27 мм в стандартную DIP панель. Панелька для
микросхем в корпусе SOIC.
Особенности:
Шаг выводов: 1,27мм.
Ширина корпуса SOIC: 150 mil (3,81 мм, среднее).
Стандартные контакты DIP - (PLS4 в 2 ряда), шаг выводов 2,54 мм, для
установки в DIP панель программатора.
Технология ZIF (Zero Insertion Force) - отсутствие усилия на контакты
при установке/изъятии микросхемы из панельки.
Для установки/изъятия микросхемы, следует нажать на верхнюю часть
корпуса. При этом, подпружиненные контакты расходятся, освобождая
микросхему для безопасной замены. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП