КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
пассивные
SMD-компоненты |
|
SMD-конденсаторы:
0201,
0402,
0603,
0805,
1206,
1210,
1812,
2220
SMD-резисторы:
0201,
0402,
0603,
0805,
1206,
2010,
2512
прецизионные
низкоомные
резисторные сборки
SMD-индуктивности: 0603,
0805,
1206 |
высоковольтная
керамика /
керамика класс Y1 и Y2 /
металлопленка
CL-21X /
металлопленка CL-21 MEF /
полипропиленовые CBB21 CBB22 /
полипропиленовые
X2-MKP /
высоковольтные CBB81 /
для двигателей
CBB61 / фазосдвигающие
CBB60E /
пусковые CBB65 /
Полистирольные конденсаторы СL11 /
Аксиальные
металлопленочные конденсаторы CL-20T /
Электролитические конденсаторы
/
Неполярные
/ Полимерные (твердотельные)
/ Тонкие для
ЖК /
Низкоимпедансные
/ Конденсаторы SMD, Серия RC |
|
 |
| | |  Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор IGBT FGA40N65SMD IGBT Transistors 650V, 40A Field Stop IGBT
На складе ... Производитель: ONS-FAIR Тип корпуса: TO-3PN код товара: 00-00069906
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор IGBT

| | | |
 |
Компания
ON Semiconductor Corporation
относится к тем производителям электронных компонентов, продукция
которых может быть использована в широком круге «общих применений».
В производстве ON
Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные
компоненты составляют приблизительно равные доли. |
Корпус |
TO-3PN
|
Стиль монтажа |
Сквозное
отверстие |
Конфигурация |
Одинокий
|
Напряжение
коллектор-эмиттер VCEO Макс. |
650 В
|
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер |
1,9 В
|
Максимальное
напряжение эмиттера затвора |
- 20 В, + 20 В
|
Непрерывный ток
коллектора при 25 C |
80 А |
Pd – Рассеиваемая
мощность |
349 Вт
|
Минимальная рабочая
температура |
- 55 С
|
Максимальная рабочая
температура |
+ 175 С |
| | |
 |
Транзистор IGBT
IGBT транзистор - (Insulated
Gate Bipolar Transistor) представляет собой интегральную монолитную
структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого
транзистора. Преимуществом подобной структуры является простота
управления полевым транзистором (управление напряжением) и низкое
падение напряжения в состоянии проводимости у биполярного
транзистора |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Поставляемые компоненты










|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП