КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Низкопрофильные источники питания серий LRS мощностью
35, 50, 75, 100, 150, 200 и 350 Вт
LRS-35 LRS-50 LRS-75 LRS-100 LRS-150 LRS-200 LRS-350

     

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор IGBT
FGL60N100BNTD
Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ

На складе ...
Производитель: ONS-FAIR
Тип корпуса: TO-264
код товара: 00-00032672

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 2 шт
от 10 шт


от 21 шт

238,00
208,78
194,38

184,66

Раздел:
Транзистор IGBT


 

Компания ON Semiconductor Corporation относится к тем производителям электронных компонентов, продукция которых может быть использована в широком круге «общих применений».
В производстве ON Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные компоненты составляют приблизительно равные доли.



 

Производитель

 onsemi

Продукт

 IGBT-транзисторы

Корпус

 TO-264-3

Монтаж

 Сквозное отверстие

Конфигурация

 Одиночная

Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Макс

 1 кВ

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 1,5 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

 - 25 В, 25 В

Непрерывный ток коллектора при 25 C

 60 А

Pd — Рассеиваемая мощность

 180 Вт

Минимальная рабочая температура

 - 55 С.

Максимальная рабочая температура

 + 150 С

Непрерывный ток коллектора

 60 А

Непрерывный ток коллектора Ic Макс

 60 А

Ток утечки затвор-эмиттер

 +/- 500 нА


 

 
 



Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзистор IGBT


IGBT транзистор - (Insulated Gate Bipolar Transistor) представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Преимуществом подобной структуры является простота управления полевым транзистором (управление напряжением) и низкое падение напряжения в состоянии проводимости у биполярного транзистора

Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП