Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину конденсаторы - выборка по номиналу ёмкости перейти в раздел "Конденсаторы" 0,033mkf - 0,047mkf - 0,068mkf - 0,01mkf - 0,1mkf - 0,22mkf - 0,33mkf - 0,47mkf - 0,68mkf - 1mkf - 2,2mkf - 3,3mkf - 4,7mkf - 10mkf - 22mkf - 33mkf - 47mkf - 68mkf - 82mkf - 100mkf - 120mkf - 150mkf - 220mkf - 330mkf - 470mkf - 560mkf - 680mkf - 820mkf - 1000mkf - 1500mkf - 2200mkf - 3300mkf - 4700mkf - 6800mkf - 10000mkf - 15000mkf - 22000mkf - 33000mkf - 47000mkf - 68000mkf - 100000mkf - 220000mkf - 330000mkf - 470000mkf - 680000mkf - 1000000mkf Ёмкость, мкф Все 0,033 0,047 0,068 0,01 0,1 0,22 0,33 0,47 0,68 1 2,2 3,3 4,7 10 22 33 47 68 82 100 120 150 220 330 470 560 680 820 1000 1500 2200 3300 4700 6800 10000 15000 22000 33000 47000 68000 100000 220000 330000 470000 680000 1000000 Напряжение, В Все 6,3v 10v 16v 25v 35v 50v 63v 100v 160v 200v 250v 350v 400v 450v Диаметр, мм Все 3 4 5 6,3 8 10 11 12 12.5 13 16 18 22 25 30 34 35 40 51 64 76 89 90

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор IGBT FGY160T65SPD-F085 "Транзистор 650 V 240 A Pd - рассеивание мощности: 882 W" На складе ... Производитель: ONS-FAIR Тип корпуса: TO-247-3 код товара: 00-00070635 Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 2 шт от 3 шт 612,00 537,81 500,72 Раздел: Транзистор IGBT   Компания ON Semiconductor Corporation относится к тем производителям электронных компонентов, продукция которых может быть использована в широком круге «общих применений». В производстве ON Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные компоненты составляют приблизительно равные доли.   Технология Si Корпус ТО-247-3 Тип монтажа Сквозное отверстие Конфигурация Одиночная Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Макс. 650 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,6 В Максимальное напряжение затвор-эмиттер - 20 В, 20 В Непрерывный ток коллектора при 25 C 240 А Pd — Рассеиваемая мощность 882 Вт Рабочая температура - 55...175 С Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 нА     Мы рекомендуем покупать с этим товаром AOS3P2 - Изоляционный материал Прокладка теплопроводящая: керамическая: Т03Р: L: 20мм: W: 23мм. Толщина 1мм. Теплопроводность 25Вт/мК. Изоляция электрическая 10кВ/мм. Диаметр монтажного отверстия 3,6 мм. Сопротивление изоляции шайбы 100Т?/cm NIPPEL-TO-3 - Изоляционный материал Изоляционная втулка для TO-3, Внешний диаметр: 8 мм.. Внутренний диаметр: 3,1 мм. Высота: 4,5 мм. NIPPEL-TO-3E - Изоляционный материал Изоляционная втулка для TO-3, Внешний диаметр: 12 мм.. Внутренний диаметр: 4,2 мм. Высота: 5 мм. Rubber CAP TO-3 - Изоляционный материал Изоляционный силиконовый кожух для компонетов в корпусе ТО-3 SMICA SOT93 - Изоляционный материал Прокладка силиконовая 20x26мм для SOT93/TO3P SMICA SOT93-2 - Изоляционный материал Прокладка силиконовая с втулкой SOT93 TC-025-CERAMIC-TO-264 - Изоляционный материал Керамическая пластина из (алюмооксидной керамики) Al2O3 для высокотемпературного применения. Применение: ТО-264. Размеры: (0.635)/1mm*22mm*28mm Изолирующая накладка для TO-3P - Изоляционный материал Изолирующая накладка, TOP3, Силикон. Размеры: 28,5х17,5х5,8мм, 0,8Вт/мК Mica Sheet (HOLE) 18x22x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 18x22 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа Mica Sheet (HOLE) 20x25x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 20x25 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа Mica Sheet (HOLE) 22x29x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 22x29 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор IGBT IGBT транзистор - (Insulated Gate Bipolar Transistor) представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Преимуществом подобной структуры является простота управления полевым транзистором (управление напряжением) и низкое падение напряжения в состоянии проводимости у биполярного транзистора Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП