КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
конденсаторы - выборка по номиналу ёмкости
перейти в раздел "Конденсаторы"
0,033mkf -
0,047mkf -
0,068mkf -
0,01mkf -
0,1mkf -
0,22mkf -
0,33mkf -
0,47mkf -
0,68mkf -
1mkf -
2,2mkf -
3,3mkf -
4,7mkf -
10mkf -
22mkf -
33mkf -
47mkf -
68mkf -
82mkf -
100mkf -
120mkf -
150mkf -
220mkf -
330mkf -
470mkf -
560mkf -
680mkf -
820mkf -
1000mkf -
1500mkf -
2200mkf -
3300mkf -
4700mkf -
6800mkf -
10000mkf -
15000mkf -
22000mkf -
33000mkf -
47000mkf -
68000mkf -
100000mkf -
220000mkf -
330000mkf -
470000mkf -
680000mkf -
1000000mkf
Все
0,033
0,047
0,068
0,01
0,1
0,22
0,33
0,47
0,68
1
2,2
3,3
4,7
10
22
33
47
68
82
100
120
150
220
330
470
560
680
820
1000
1500
2200
3300
4700
6800
10000
15000
22000
33000
47000
68000
100000
220000
330000
470000
680000
1000000
Напряжение, В
Все
6,3v
10v
16v
25v
35v
50v
63v
100v
160v
200v
250v
350v
400v
450v
Диаметр, мм
Все
3
4
5
6,3
8
10
11
12
12.5
13
16
18
22
25
30
34
35
40
51
64
76
89
90
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор полевой MOSFETFQP12N60C Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 12 А, 0.53 Ом, TO-220, Through HoleНа складе ... Производитель: ONS-FAIR Тип корпуса: TO-220 код товара: 00-00065268 СКАЧАТЬ PDF Кол-во
Цена без НДС, грн
Купить
Раздел:Транзистор полевой MOSFET
Компания
ON Semiconductor Corporation производстве ON
Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные
компоненты составляют приблизительно равные доли.
Производитель
ON Semiconductor
Категория продукта
МОП-транзистор
Технология
Si
Вид монтажа
Through Hole
Тип корпуса
TO-220-3
Полярность
транзистора
N-Channel
Количество каналов
1 Channel
Vds - напряжение
пробоя сток-исток
600 V
Id - непрерывный ток
утечки
12 A
Rds Вкл -
сопротивление сток-исток
650 mOhms
Vgs - напряжение
затвор-исток
- 30 V, + 30 V
Рабочая температура
- 55 C ... + 150
C
Pd - рассеивание
мощности
225 W
Канальный режим
Enhancement
Конфигурация
Single
Тип транзистора
1 N-Channel
Крутизна
характеристики прямой передачи - Мин.
13 S
Время спада
90 ns
Время нарастания
85 ns
Типичное время
задержки выключения
155 ns
Типичное время
задержки при включении
30 ns
Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор
с изолированным затвором.
Транзистор IGBT Пластиковые
^ Наверх
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП
СКАЧАТЬ PDF
.jpg)
