Категория продукта

 Биполярные транзисторы

Вид монтажа

 SMD/SMT

Тип корпуса

 SOT-223

Полярность транзистора

 PNP

Конфигурация

 Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

 - 60 V

Напряжение коллектор-база (VCBO)

 - 80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

 - 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 - 0.45 V

Максимальный постоянный ток коллектора

 3 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

 140 MHz

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Непрерывный коллекторный ток

 - 3 A

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

 70 at 50 mA at 2 V, 100 at 500 mA at 2 V,
80 at 1 A at 2 V, 40 at 2 A at 2 V

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

 70

Минимальная рабочая температура

 - 55 C

Pd - рассеивание мощности

 2 W