Драйверы IGBT/MOSFET IR2125STRPBF Драйвер FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1000 мА: Iout-: 2000 мА: Опции: Вход сброса, Защита по току, Флаг защиты: Траб: -40...125 °C На складе ... Производитель: IR Тип корпуса: SO16 код товара: 00-00025882
International Rectifier Corporation -
Общепризнанный мировой лидер в разработке и производстве силовых
полупроводниковых компонентов. Номенклатура изделий International
Rectifier стала де-факто стандартом силовой электроники и широко
используется независимыми производителями.
IR2125STRPBF
Основные характеристики
Корпус
SOIC-16
Кол-во верхних каналов
1
Максимальное напряжение смещения
600В
Максимальный выходной ток нарастания
1000мА
Максимальный выходной ток спада
2000мА
Опции
Вход сброса, Защита по току, Флаг защиты
Рабочая температура
-40...125°C
Specifications of IR2125STRPBF
Configuration
High-Side
Input Type
Non-Inverting
Delay Time
170ns
Current - Peak
1.6A
Number Of Configurations
1
Number Of Outputs
1
High Side Voltage - Max (bootstrap)
500V
Voltage - Supply
12 V ~ 18 V
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
16-SOIC (0.300", 7.5mm Width)
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями.
Высокое качество, доступная цена, продукция на складе:
Драйверы
MOSFET-IGBT производства IR
Фирма International Rectifier выпускает широкую гамму микросхем
драйверов для управления затворами IGBT и полевых транзисторов. Все
драйверы выпускаются в DIP и SMD исполнении с возможностью
управления затворами приборов, работающих под напряжением до 1200 В
при макс. выходном напряжении на затворе до 20 В. Выпускаемые
драйверы предназначены для управления затворами верхних, нижних,
полумостовых, верхних и нижних, раздельных трехфазных мостовых и
трехфазных схем включения.