| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET
IRF8252PBF
MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 25 В: Rси(вкл): 2.7...3.7 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В: Uзатв(макс): 20 В: Qзатв: 35 нКл
На складе ...
Производитель: INFIN
Тип корпуса: SO8
код товара: 00-00031906
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
 |
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
|
Производитель |
INFIN |
|
Тип полевого
транзистора |
N-канал |
|
Продукт |
МОП-транзистор
|
|
Напряжение
сток-исток (Vdss) |
25 В |
|
Ток — непрерывный,
слив (Id) при 25°C |
25А (Та) |
|
Рабочее напряжение
(макс. Rds(Вкл.), мин. Rds(Вкл)) |
4,5 В, 10 В |
|
Rds(On) (Макс.) при
Id, Vgs |
2,7 мОм при 25 А,
10 В |
|
Vgs(th) (макс.) при
Id |
2,35 В при 100
мкА |
|
Плата за ворота (Qg)
(Макс.) при Vgs |
53 нК при 4,5 В |
|
ВГС (Макс.) |
±20 В |
|
Входная емкость (Цисс.)
(макс.) при Vds |
5305пФ при 13В |
|
Потеря мощности
(макс.) |
2,5 Вт (Та) |
|
Рабочая температура |
От -55°C до 150°C
(ТДж) |
|
Корпус |
SO-8 |
| | |
|
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
 |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
| |
Рекомендуем для покупки с этим товаром |
|
 |
Переходник -
Адаптер ZIF для установки микросхем в корпусе SOIC8, с шириной корпуса
150 mil, шагом выводов 1,27 мм в стандартную DIP панель. Панелька для
микросхем в корпусе SOIC.
Особенности:
Шаг выводов: 1,27мм.
Ширина корпуса SOIC: 150 mil (3,81 мм, среднее).
Стандартные контакты DIP - (PLS4 в 2 ряда), шаг выводов 2,54 мм, для
установки в DIP панель программатора.
Технология ZIF (Zero Insertion Force) - отсутствие усилия на контакты
при установке/изъятии микросхемы из панельки.
Для установки/изъятия микросхемы, следует нажать на верхнюю часть
корпуса. При этом, подпружиненные контакты расходятся, освобождая
микросхему для безопасной замены. |
|
Поставляемые компоненты
|
.jpg)
.jpg)
