КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET IRFH7932TR2PBF
На складе ... Производитель: IR Тип корпуса: PQFN код товара: 00-00032061
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
International Rectifier Corporation -
Общепризнанный мировой лидер в разработке и производстве силовых
полупроводниковых компонентов. Номенклатура изделий International
Rectifier стала де-факто стандартом силовой электроники и широко
используется независимыми производителями. |
IRFH7932TR2PBF
Specifications of IRFH7932TR2PBF
|
Fet Type |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Fet Feature |
Logic Level Gate |
Rds On (max) @ Id, Vgs |
3.3 mOhm @ 25A, 10V |
Drain To Source Voltage (vdss) |
30V |
Current - Continuous Drain (id) @ 25° C |
24A |
Vgs(th) (max) @ Id |
2.35V @ 100µA |
Gate Charge (qg) @ Vgs |
51nC @ 4.5V |
Input Capacitance (ciss) @ Vds |
4270pF @ 15V |
Power - Max |
3.1W |
Mounting Type |
Surface Mount |
Package / Case |
8-PQFN, 8-PowerQFN |
Transistor Polarity |
N Channel |
Drain Source Voltage Vds |
30V |
On Resistance Rds(on) |
2.5mohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs |
10V |
Operating Temperature Range |
-55°C To +150°C |
Transistor Case Style |
PQFN |
Rohs Compliant |
Yes |
Resistance Drain-source Rds (on) |
3.9 mOhms |
Drain-source Breakdown Voltage |
30 V |
Gate-source Breakdown Voltage |
20 V |
Continuous Drain Current |
104 A |
Power Dissipation |
3.4 W |
Gate Charge Qg |
34 nC |
Lead Free Status / RoHS Status |
Lead free / RoHS Compliant |
Other names |
IRFH7932TR2PBFTR |
| | |
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
|
Транзистор IGBT Пластиковые
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП