КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET IRFI4020H-117P TRANSISTOR,MOSFET,HALF BRIDGE,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,9.1A I(D),TO-220(5) :ROHS COMPLIANT: YES
На складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: TO-220F-5 код товара: 00-00032069
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
IRFI4020H-117P
Specifications of IRFI4020H-117P
|
Fet Type |
2 N-Channel (Dual) |
Fet Feature |
Standard |
Rds On (max) @ Id, Vgs |
100 mOhm @ 5.5A, 10V |
Drain To Source Voltage (vdss) |
200V |
Current - Continuous Drain (id) @ 25° C |
9.1A |
Vgs(th) (max) @ Id |
4.9V @ 100µA |
Gate Charge (qg) @ Vgs |
29nC @ 10V |
Input Capacitance (ciss) @ Vds |
1240pF @ 25V |
Power - Max |
21W |
Mounting Type |
Through Hole |
Package / Case |
TO-220-5 Full Pack (Straight Leads) |
Configuration |
Dual |
Transistor Polarity |
N-Channel |
Resistance Drain-source Rds (on) |
100 mOhms |
Drain-source Breakdown Voltage |
200 V |
Gate-source Breakdown Voltage |
+/- 20 V |
Continuous Drain Current |
9.1 A |
Power Dissipation |
21 W |
Mounting Style |
Through Hole |
Gate Charge Qg |
19 nC |
Minimum Operating Temperature |
- 55 C |
Lead Free Status / RoHS Status |
Lead free / RoHS Compliant |
| | |
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
|
Транзистор IGBT Пластиковые
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП