КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
Серии источников питания HDR на DIN рейку с
ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения
100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт
HDR-15
HDR-30
HDR-60
HDR-100
HDR-150
|
 |
|
 |
| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор IGBT
IRG4IBC20UDPBF
IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 11.4 А: Iк@100°C: 6 А: Uкэ.нас: 1.85 В: tнар: 15 нс: tспада: 110 нс
На складе ...
Производитель: INFIN
Тип корпуса: TO-220FULLPACK
код товара: 00-00032723
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор IGBT
| | | |
|
 |
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
|
Производитель |
INFIN |
|
Продукт |
IGBT-транзисторы |
|
Корпус |
TO-220FP-3 |
|
Монтаж |
Сквозное
отверстие |
|
Конфигурация |
Одиночная |
|
Напряжение
коллектор-эмиттер VCEO Макс. |
600 В |
|
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер |
2,1 В |
|
Максимальное
напряжение затвор-эмиттер |
- 20 В, + 20 В |
|
Непрерывный ток
коллектора при 25 C |
11,4 А |
|
Pd — Рассеиваемая
мощность |
34 Вт |
|
Минимальная рабочая
температура |
- 55 С. |
.
| | |
|
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
 |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Транзистор IGBT производства IR
IGBT транзистор - (Insulated Gate Bipolar Transistor)
представляет собой интегральную монолитную структуру, которая
симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.
Преимуществом подобной структуры является простота управления
полевым транзистором (управление напряжением) и низкое падение
напряжения в состоянии проводимости у биполярного транзистора |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП
.jpg)
.jpg)
