Производитель

 Infineon

Категория продукта

 МОП-транзистор 

Технология

 Si

Вид монтажа

 Through Hole

Тип корпуса

 TO-220-3

Полярность транзистора

 N-Channel

Количество каналов

 1 Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 30 V

Id - непрерывный ток утечки

 150 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 2.5 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

 - 20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

 1.35 V

Qg - заряд затвора

 54 nC

Рабочая температура

 - 55 C ... + 175 C

Pd - рассеивание мощности

 140 W

Канальный режим

 Enhancement  

Конфигурация

 Single

Тип транзистора

 1 N-Channel

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

 190 S

Время спада

 36 ns 

Время нарастания

 92 ns