| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET
IRLML6302TRPBF
MOSFET транзистор: P-канал, 20 В, 600 мОм
На складе ...
Производитель: INFIN
Тип корпуса: SOT23
код товара: 00-00032385
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
 |
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
Specifications of IRLML6302TRPBF
|
| Fet Type |
MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Fet Feature |
Logic Level Gate |
| Rds On (max) @ Id, Vgs |
600 mOhm @ 610mA, 4.5V |
Drain To Source Voltage (vdss) |
20V |
| Current - Continuous Drain (id) @ 25° C |
780mA |
Vgs(th) (max) @ Id |
1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (qg) @ Vgs |
3.6nC @ 4.45V |
Input Capacitance (ciss) @ Vds |
97pF @ 15V |
| Power - Max |
540mW |
Mounting Type |
Surface Mount |
| Package / Case |
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Channel Type |
P |
| Current, Drain |
–0.8 A |
Gate Charge, Total |
2.4 nC |
| Package Type |
MICRO-3 |
Polarization |
P-Channel |
| Power Dissipation |
0.5 W |
Resistance, Drain To Source On |
0.6 Ohm |
| Resistance, Thermal, Junction To Case |
230 °C/W |
Temperature, Operating, Maximum |
+150 °C |
| Temperature, Operating, Minimum |
-55 °C |
Time, Turn-off Delay |
22 ns |
| Time, Turn-on Delay |
13 ns |
Transconductance, Forward |
0.56 S |
| Voltage, Breakdown, Drain To Source |
-20 V |
Voltage, Drain To Source |
–20 V |
| | |
|
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
 |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Транзистор IR MOSFET P-Канал
Несмотря на то, что P-канальные транзисторы распространены гораздо
меньше, чем их N-канальные собратья
(этим, в частности, обуславливается относительная немногочисленность
их номенклатуры), они находят свое применение в системах защиты
аккумуляторных батарей, защиты шин питания от выбросов напряжений и
системах коммутации нагрузки. |
|
Поставляемые компоненты
|
.jpg)
.jpg)
