КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Низкопрофильные источники питания серий LRS мощностью
35, 50, 75, 100, 150, 200 и 350 Вт
LRS-35 LRS-50 LRS-75 LRS-100 LRS-150 LRS-200 LRS-350

     

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Драйверы IGBT/MOSFET
IRS2153DSPBF
Контроллер балласта лампы - [SOIC-8-3.9]: Iпотр: 1 А: Iвых: 1 А: Примечание: Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 180 мА: Iout-: 260 мА: Траб: -40...125 °C: Траб: -40...125 °C

На складе ...
Производитель: INFIN
Тип корпуса: SO8
код товара: 00-00025979

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 6 шт
от 25 шт


от 51 шт

91,50
85,07
78,99

75,04

Раздел:
Драйверы IGBT/MOSFET


 

Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией, твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.


IRS2153DSPBF

Основные характеристики

КорпусSOIC-8
Ток собственного потребления1 А
Максимальный выходной ток1 А
ПримечаниеДрайвер FET-IGBT - [SOIC-8]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 180 мА; Iout-: 260 мА; Траб: -40...125 °C
Рабочая температура-40...125 °C

Specifications of IRS2153DSPBF

ConfigurationHalf BridgeInput TypeSelf Oscillating
Current - Peak180mANumber Of Configurations1
Number Of Outputs2High Side Voltage - Max (bootstrap)600V
Voltage - Supply10 V ~ 15.4 VOperating Temperature-40°C ~ 125°C
Mounting TypeSurface MountPackage / Case8-SOIC (3.9mm Width)
Number Of Drivers2Driver ConfigurationInvert/Non-Invert
Driver TypeHigh and Low SideInput Logic LevelCMOS
Rise Time220nsFall Time80ns
Frequency (max)100KHzOperating Supply Voltage (max)16.8V
Peak Output Current260uAPower Dissipation625mW
Operating Supply Voltage (min)10.1VOperating Temp Range-40C to 125C
Operating Temperature ClassificationAutomotiveMountingSurface Mount
Pin Count8Package TypeSOIC
 
 

Транзисторы производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным мировым лидером по производству электронных компонентов для преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов. Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой электроники и широко используется независимыми производителями.

Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе

Драйверы MOSFET-IGBT производства IR
Фирма International Rectifier выпускает широкую гамму микросхем драйверов для управления затворами IGBT и полевых транзисторов. Все драйверы выпускаются в DIP и SMD исполнении с возможностью управления затворами приборов, работающих под напряжением до 1200 В при макс. выходном напряжении на затворе до 20 В. Выпускаемые драйверы предназначены для управления затворами верхних, нижних, полумостовых, верхних и нижних, раздельных трехфазных мостовых и трехфазных схем включения.

 

Рекомендуем для покупки с этим товаром

Переходник - Адаптер ZIF для установки микросхем в корпусе SOIC8, с шириной корпуса 150 mil, шагом выводов 1,27 мм в стандартную DIP панель. Панелька для микросхем в корпусе SOIC.


Особенности:
Шаг выводов: 1,27мм.
Ширина корпуса SOIC: 150 mil (3,81 мм, среднее).
Стандартные контакты DIP - (PLS4 в 2 ряда), шаг выводов 2,54 мм, для установки в DIP панель программатора.
Технология ZIF (Zero Insertion Force) - отсутствие усилия на контакты при установке/изъятии микросхемы из панельки.
Для установки/изъятия микросхемы, следует нажать на верхнюю часть корпуса. При этом, подпружиненные контакты расходятся, освобождая микросхему для безопасной замены.


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП