Компания
Cree является мировым
лидером в производстве полупроводниковых кристаллов из карбида
кремния (SiC) и приборов на их основе. Полевые транзисторы, диоды и
другие полупроводниковые приборы на основе карбида кремния обладают
рядом преимуществ по сравнению с аналогичными кремниевыми приборами.
Среди них – рабочая температура кристалла до 600°С, высокое
быстродействие, радиационная стойкость.
Вид монтажа
SMD/SMT
Корпус
2835
Цвет освещения
Warm White
Цветовая температура
3000 K
Лучевой поток
125 lm
Индекс цветопередачи
- CRI
80
Угол обзора
120 deg
Прямой ток
150 mA
Прямое напряжение
6.35 V
Номинальная мощность
953 mW
Длина
3.5 mm
Ширина
2.8 mm
Высота
0.7 mm
Минимальная рабочая
температура
- 40 C
Максимальная рабочая
температура
+ 105 C
Поставляемые компоненты
^ Наверх DIV >
Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина