КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Ёмкость, мкф

Напряжение, В

Диаметр, мм

 

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор биполярный
MJD112T4
Биполярный транзистор - TO-252-3: Тип: NPN: UКЭ(макс): 100 В: UКЭ(пад): 3 В: IК(макс): 2 А

На складе ...
Производитель: ST
Тип корпуса: DPAK
код товара: 00-00044934

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 42 шт
от 182 шт


от 365 шт

13,50
11,77
10,96

10,41

Раздел:
Транзистор биполярный


 

STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных компонентов


Тип корпуса

TO-252-3

Тип проводимости и конфигурация

NPN

Напряжение КЭ максимальное

100 В.

Напряжение падения КЭ в открытом состоянии

3 В.

Ток коллектора

2 А

Рассеиваемая мощность

20 Вт

Граничная рабочая частота

25 мГц

Коэффициент усиления по току

200...12000

Встроенное сопротивление в базовой цепи

15 Ом

Встроенное сопротивление в цепи БЭ

100 Ом

 
 






Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзисторы производства STMicroelectronics.
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных компонентов.

Биполярные транзисторы NPN
Биполярные транзисторы PNP

Транзисторы MOSFET
Транзисторы IGBT

Транзисторы RF силовые


Полный перечень транзисторов STM

Транзистор биполярный NPN производства STM
Биполярные транзисторы изготавливаются из кремния или германия. Работа биполярных транзисторов основана на использовании в качестве носителей заряда как электронов, так и дырок. Одну из крайних областей транзисторной структуры называют эмиттером. Промежуточную область называют базой, а другую крайнюю коллектором. Эти три электрода образуют два p-n перехода. NPN транзисторы открываются напряжением положительной полярности.


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП