КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
![](../../../elbrand/sunon_banner.jpg)
|
![На главную страницу](../../../ugol.jpg) |
| | | ![](pic/TO-220ISO.jpg) Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор биполярный MJF18008G Биполярный транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 450 В: IК(макс): 8 А: Pрасс: 45 Вт: h21: 16...34: Примечание: Bipolar Power NPN, 8 A, 450 V Временно нет на складе...
Производитель: ONS Тип корпуса: TO-220ISO код товара: 00-00032498
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор биполярный
![Перейти в раздел - Транзистор биполярный](fotki/transistorbipolar.jpg)
| | | |
![](elbrand/ons.jpg) |
Компания
ON Semiconductor Corporation
относится к тем производителям электронных компонентов, продукция
которых может быть использована в широком круге «общих применений».
В производстве ON
Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные
компоненты составляют приблизительно равные доли. |
Категория продукта |
Биполярные
транзисторы - BJT |
Производитель |
ON Semiconductor
|
Вид монтажа |
Through Hole
|
Корпус |
TO-220FP-3
|
Полярность
транзистора |
NPN |
Конфигурация |
Single
|
Напряжение
коллектор-эмиттер (VCEO), макс. |
450 V
|
Напряжение
коллектор-база (VCBO) |
1 kV |
Напряжение
эмиттер-база (VEBO) |
9 V |
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер |
0.3 V
|
Максимальный
постоянный ток коллектора |
8 A |
Максимальная рабочая
температура |
+ 150 C
|
Серия |
MJF18008
|
Непрерывный
коллекторный ток |
8 A |
Высота |
9.24 mm (Max)
|
Длина |
10.63 mm (Max)
|
Минимальная рабочая
температура |
- 65 C
|
Pd - рассеивание
мощности |
125 W
|
Ширина |
4.9 mm (Max) |
| | |
![](../pic/TRANSISTORBIPOLAR.jpg) |
Транзистор биполярный
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки. |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Поставляемые компоненты
![](../../../brand/sumida.gif)
![](../../../brand/winstar.gif)
![](../../../brand/MW.jpg)
![](../../../brand/stm.jpg)
![](../../../IR-s.gif)
![](../../../brand/ad.jpg)
![](../../../brand/atmel.gif)
![](../../../brand/cree.jpg)
![](../../../brand/maxim-s.gif)
![](../../../brand/ons.jpg)
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП