Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину   Диаметр 10 мм Диаметр 12 мм Диаметр 16 мм Диаметр 19 мм Диаметр 22 мм Диаметр 25 мм Диаметр 30 мм Без подсветки RED подсветка WHITE подсветка BLUE подсветка GREEN подсветка YELLOW подсветка

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор полевой MOSFET MMBF4391LT1G ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 50 мА, 150 мА На складе ... Производитель: ONS Тип корпуса: SOT23-3 код товара: 00-00032511 Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 75 шт от 323 шт 7,50 6,66 6,18 Раздел: Транзистор полевой MOSFET   Компания ON Semiconductor Corporation относится к тем производителям электронных компонентов, продукция которых может быть использована в широком круге «общих применений». В производстве ON Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные компоненты составляют приблизительно равные доли. pecifications of MMBF4391LT1G Current - Drain (idss) @ Vds (vgs=0) 50mA @ 15V Drain To Source Voltage (vdss) 30V Fet Type N-Channel Voltage - Breakdown (v(br)gss) 30V Voltage - Cutoff (vgs Off) @ Id 4V @ 10nA Input Capacitance (ciss) @ Vds 14pF @ 15V Resistance - Rds(on) 30 Ohm Mounting Type Surface Mount Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Power - Max 225mW Configuration Single Transistor Polarity N-Channel Drain Source Voltage Vds 30 V Gate-source Breakdown Voltage 30 V Drain Current (idss At Vgs=0) 50 mA to 150 mA Maximum Operating Temperature + 150 C Maximum Drain Gate Voltage 30 V Minimum Operating Temperature - 55 C Mounting Style SMD/SMT Breakdown Voltage Vbr -30V Gate-source Cutoff Voltage Vgs(off) Max -10V Power Dissipation Pd 225mW Operating Temperature Range -55°C To +150°C No. Of Pins 3     Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор с изолированным затвором. MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим полем). Это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора очень высокое входное сопротивление. Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП