КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Низкопрофильные источники питания серий LRS мощностью
35, 50, 75, 100, 150, 200 и 350 Вт
LRS-35 LRS-50 LRS-75 LRS-100 LRS-150 LRS-200 LRS-350

     

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор биполярный
MMBT4401LT1G
Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 40 В: IК(макс): 600 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 250 МГц: h21: 100...300

На складе ...
Производитель: ONS
Тип корпуса: SOT23-3
код товара: 00-00032520

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 10 шт
от 658 шт
от 2815 шт

1,00
0,76
0,71

Раздел:
Транзистор биполярный


 

Компания ON Semiconductor Corporation относится к тем производителям электронных компонентов, продукция которых может быть использована в широком круге «общих применений».
В производстве ON Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные компоненты составляют приблизительно равные доли.


Категория продукта

 Биполярные транзисторы - BJT

Производитель

 ON Semiconductor

Вид монтажа

 SMD/SMT

Корпус

 SOT-23-3

Полярность транзистора

 NPN

Конфигурация

 Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

 40 V

Напряжение коллектор-база (VCBO)

 60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 0.75 V

Максимальный постоянный ток коллектора

 0.6 A

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Серия

 MMBT4401L

Непрерывный коллекторный ток

 0.6 A

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

 20

Высота

 0.94 mm

Длина

 2.9 mm

Минимальная рабочая температура

 - 55 C

Pd - рассеивание мощности

 225 mW

Ширина

 1.3 mm

 
 

Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзистор биполярный


Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки.

Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП