КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
Серии источников питания HDR на DIN рейку с
ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения
100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт
HDR-15
HDR-30
HDR-60
HDR-100
HDR-150
|
 |
|
 |
| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор биполярный
MMBT6520LT1G
Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 350 В: IК(макс): 50 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 40 МГц: h21: 30...200
На складе ...
Производитель: ONS
Тип корпуса: SOT23-3
код товара: 00-00032524
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор биполярный
| | | |
|
 |
Компания
ON Semiconductor Corporation
относится к тем производителям электронных компонентов, продукция
которых может быть использована в широком круге «общих применений».
В производстве ON
Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные
компоненты составляют приблизительно равные доли. |
|
Категория продукта |
Биполярные
транзисторы - BJT |
|
Производитель |
ON Semiconductor
|
|
Вид монтажа |
SMD/SMT
|
|
Корпус |
SOT-23-3
|
|
Полярность
транзистора |
PNP |
|
Конфигурация |
Single
|
|
Напряжение
коллектор-эмиттер (VCEO), макс. |
- 350 V
|
|
Напряжение
коллектор-база (VCBO) |
- 350 V
|
|
Напряжение
эмиттер-база (VEBO) |
5 V |
|
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер |
- 1 V
|
|
Максимальный
постоянный ток коллектора |
0.5 A
|
|
Максимальная рабочая
температура |
+ 150 C
|
|
Серия |
MMBT6520L
|
|
Непрерывный
коллекторный ток |
- 0.5 A
|
|
Коллектор
постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) |
20 |
|
Коэффициент усиления
по постоянному току (hFE), макс. |
200 |
|
Высота |
0.94 mm
|
|
Длина |
2.9 mm
|
|
Минимальная рабочая
температура |
- 55 C
|
|
Pd - рассеивание
мощности |
225 mW
|
|
Ширина |
1.3 mm |
| | |
|
 |
Транзистор биполярный
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки. |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП
.jpg)
