Производитель

 ON Semiconductor

Категория продукта

 Биполярные транзисторы - BJT

Вид монтажа

 SMD/SMT

Тип корпуса

 SOT-23-3

Полярность транзистора

 NPN

Конфигурация

 Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

 15 V

Напряжение коллектор-база (VCBO)

 30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

 3 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 0.4 V

Максимальный постоянный ток коллектора

 0.05 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

 600 MHz

Рабочая температура

 - 55 C ... + 150 C

Непрерывный коллекторный ток

 0.05 A

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

 20

Pd - рассеивание мощности

 225 mW