КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Серии источников питания HDR на DIN рейку с ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения 100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт
HDR-15   HDR-30   HDR-60   HDR-100   HDR-150  

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор биполярный
MMBTA06LT1G
Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 80 В: IК(макс): 500 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 100 МГц: h21: от 100

На складе ...
Производитель: ONS
Тип корпуса: SOT23-3
код товара: 00-00032525

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 432 шт
от 1858 шт

1,50
1,16
1,08

Раздел:
Транзистор биполярный


 

Компания ON Semiconductor Corporation относится к тем производителям электронных компонентов, продукция которых может быть использована в широком круге «общих применений».
В производстве ON Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные компоненты составляют приблизительно равные доли.


MMBTA06LT1G

Основные характеристики

Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация NPN
Напряжение КЭ максимальное 80 В
Ток коллектора 500 мА
Рассеиваемая мощность 225 мВт
Граничная рабочая частота 100 МГц
Коэффициент усиления по току от 100
Примечание Small Signal Driver NPN
 
 

Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзистор биполярный


Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки.

Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП