Компания
ON Semiconductor Corporation
относится к тем производителям электронных компонентов, продукция
которых может быть использована в широком круге «общих применений».
В производстве ON
Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные
компоненты составляют приблизительно равные доли.
Категория продукта
Биполярные
транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Полярность
транзистора
PNP
Напряжение
коллектор-база (VCBO)
80 V
Напряжение
коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
60 V
Напряжение
эмиттер-база (VEBO)
5 V
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер
0.5 V
Максимальный
постоянный ток коллектора
2 A
Произведение
коэффициента усиления
на ширину полосы пропускания (fT)
75 MHz
Максимальная рабочая
температура
+ 150 C
Вид монтажа
Through Hole
Тип корпуса
TO-92-3 (TO-226)
Коллектор
постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки.
.jpg)
