КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
Серии источников питания HDR на DIN рейку с
ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения
100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт
HDR-15
HDR-30
HDR-60
HDR-100
HDR-150
|
![](http://www.kosmodrom.com.ua/pic/HDR-100-15N.jpg) |
|
![На главную страницу](../../../ugol.jpg) |
| | | ![](pic/SC703.jpg) Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор биполярный MUN5211T1G Биполярный транзистор - [SC-70]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: h21: от 35: R1: 10 кОм: R2: 10 кОм
На складе ... Производитель: ONS Тип корпуса: SC703 код товара: 00-00033020
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор биполярный
![Перейти в раздел - Транзистор биполярный](fotki/transistorbipolar.jpg)
| | | |
![](elbrand/ons.jpg) |
Компания
ON Semiconductor Corporation
относится к тем производителям электронных компонентов, продукция
которых может быть использована в широком круге «общих применений».
В производстве ON
Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные
компоненты составляют приблизительно равные доли. |
Производитель |
ON Semiconductor
|
Категория продукта |
Биполярный
транзистор |
Конфигурация |
Single
|
Полярность
транзистора |
NPN |
Типичное входное
сопротивление |
10 kOhms
|
Типичный коэффициент
деления резистора |
1 |
Вид монтажа |
SMD/SMT
|
Корпус |
SC-70
|
Напряжение
коллектор-эмиттер (VCEO), макс. |
50 V |
Непрерывный
коллекторный ток |
100 mA
|
Пиковый постоянный
ток коллектора |
100 mA
|
Pd - рассеивание
мощности |
310 mW
|
Максимальная рабочая
температура |
+ 150 C
|
Серия |
MUN5211
|
Высота |
0.85 mm
|
Длина |
2.1 mm
|
Ширина |
1.24 mm
|
Минимальная рабочая
температура |
- 55 C |
| | |
![](../pic/TRANSISTORBIPOLAR.jpg) |
Транзистор биполярный
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки. |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Поставляемые компоненты
![](../../../brand/sumida.gif)
![](../../../brand/winstar.gif)
![](../../../brand/MW.jpg)
![](../../../brand/stm.jpg)
![](../../../IR-s.gif)
![](../../../brand/ad.jpg)
![](../../../brand/atmel.gif)
![](../../../brand/cree.jpg)
![](../../../brand/maxim-s.gif)
![](../../../brand/ons.jpg)
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП