Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину Низкопрофильные источники питания серий LRS мощностью 35, 50, 75, 100, 150, 200 и 350 Вт LRS-35 LRS-50 LRS-75 LRS-100 LRS-150 LRS-200 LRS-350

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор IGBT NCE30TD60BD IGBT + Diode. N. 190 W. 60 A @25?. 17 nS. 106 pF. 132 nC. На складе ... Производитель: NCE Тип корпуса: D2PAK код товара: 00-00076412 Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 11 шт от 49 шт 47,50 44,04 40,90 Раздел: Транзистор IGBT   Тип транзистора  IGBT + Diode Тип управляющего канала  N Максимальная рассеиваемая мощность  190 W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер  600 V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор  30 V Максимальный постоянный ток коллектора  60 A @25℃ Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое  1.7 V @25℃ Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер  6 V Максимальная температура перехода  150 ℃ Время нарастания типовое  17 nS Выходная емкость, типовая  106 pF Общий заряд затвора, typ  132 nC     Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП