КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
Серии источников питания HDR на DIN рейку с
ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения
100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт
HDR-15
HDR-30
HDR-60
HDR-100
HDR-150
|
 |
|
 |
| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор биполярный
PBSS4350T.215
Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 2 А: Pрасс: 1.2 Вт: Fгран: 100 МГц: h21: 200...300
На складе ...
Производитель: NEX-NXP
Тип корпуса: SOT23
код товара: 00-00032552
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор биполярный
| | | |
|
 |
Один из ведущих
поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических
микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных
МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia
со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды) |
|
Категория продукта |
Биполярные
транзисторы - BJT |
|
Производитель |
Nexperia
|
|
Вид монтажа |
SMD/SMT
|
|
Корпус |
SOT-23-3
|
|
Полярность
транзистора |
NPN |
|
Конфигурация |
Single
|
|
Напряжение
коллектор-эмиттер (VCEO), макс. |
50 V |
|
Напряжение
коллектор-база (VCBO) |
50 V |
|
Напряжение
эмиттер-база (VEBO) |
5 V |
|
Максимальный
постоянный ток коллектора |
5 A |
|
Максимальная рабочая
температура |
+ 150 C
|
|
Непрерывный
коллекторный ток |
2 A |
|
Коллектор
постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) |
300 |
|
Коэффициент усиления
по постоянному току (hFE), макс. |
300 at 100 mA at
2 V |
|
Высота |
1 mm |
|
Длина |
3 mm |
|
Минимальная рабочая
температура |
- 65 C
|
|
Pd - рассеивание
мощности |
300 mW
|
|
Ширина |
1.4 mm
|
|
Другие названия
товара № |
PBSS4350T T/R |
| | |
|
 |
Транзистор биполярный
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки. |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП
.jpg)
