Один из ведущих
поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических
микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных
МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia
со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды)
Производитель
NEXPERIA
Тип диода
TVS, сборка
Напряжение пробоя
6,8В
Импульсный ток
2,5А
Рассеиваемая
мощность в импульсе макс.
25Вт
Конструкция диода
общий анод,
однонаправленный, пятикратный
Монтаж
SMD
Корпус
SOT666
Обратное напряжение
макс.
5В
Характеристики
полупроводниковых элементов
защита ESD
Ток утечки
25нА
Поставляемые компоненты
^ Наверх DIV >
Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина