КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
конденсаторы - выборка по номиналу ёмкости
перейти в раздел "Конденсаторы"
0,033mkf -
0,047mkf -
0,068mkf -
0,01mkf -
0,1mkf -
0,22mkf -
0,33mkf -
0,47mkf -
0,68mkf -
1mkf -
2,2mkf -
3,3mkf -
4,7mkf -
10mkf -
22mkf -
33mkf -
47mkf -
68mkf -
82mkf -
100mkf -
120mkf -
150mkf -
220mkf -
330mkf -
470mkf -
560mkf -
680mkf -
820mkf -
1000mkf -
1500mkf -
2200mkf -
3300mkf -
4700mkf -
6800mkf -
10000mkf -
15000mkf -
22000mkf -
33000mkf -
47000mkf -
68000mkf -
100000mkf -
220000mkf -
330000mkf -
470000mkf -
680000mkf -
1000000mkf
Все
0,033
0,047
0,068
0,01
0,1
0,22
0,33
0,47
0,68
1
2,2
3,3
4,7
10
22
33
47
68
82
100
120
150
220
330
470
560
680
820
1000
1500
2200
3300
4700
6800
10000
15000
22000
33000
47000
68000
100000
220000
330000
470000
680000
1000000
Напряжение, В
Все
6,3v
10v
16v
25v
35v
50v
63v
100v
160v
200v
250v
350v
400v
450v
Диаметр, мм
Все
3
4
5
6,3
8
10
11
12
12.5
13
16
18
22
25
30
34
35
40
51
64
76
89
90
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор полевой MOSFETPMV65XP.215 MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT-23На складе ... Производитель: NEX-NXP Тип корпуса: SOT23-3 код товара: 00-00045425 Кол-во
Цена без НДС, грн
Купить
Раздел:Транзистор полевой MOSFET
Один из ведущих
поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических
микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных
МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia
со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды)
Specifications of PMV65XP,215
Package / Case
SOT-23-3, TO-236-3,
Micro3™, SSD3, SST3
Fet Type
MOSFET P-Channel, Metal
Oxide
Fet Feature
Logic Level Gate
Rds On (max) @ Id, Vgs
76 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Drain To Source Voltage
(vdss)
20V
Current - Continuous
Drain (id) @ 25° C
3.9A
Vgs(th) (max) @ Id
950mV @ 1mA
Gate Charge (qg) @ Vgs
7.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (ciss)
@ Vds
725pF @ 20V
Power - Max
1.92W
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating
Temperature
- 55 C
Configuration
Single
Transistor Polarity
P-Channel
Resistance Drain-source
Rds (on)
0.076 Ohm @ 4.5 V
Drain-source Breakdown
Voltage
20 V
Gate-source Breakdown
Voltage
+/- 12 V
Continuous Drain
Current
3.9 A
Power Dissipation
1920 mW
Maximum Operating
Temperature
+ 150 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number Of Elements
1
Polarity
P
Channel Mode
Enhancement
Drain-source On-res
0.076Ohm
Drain-source On-volt
20V
Gate-source Voltage (max)
±12V
Operating Temp Range
-55C to 150C
Operating Temperature
Classification
Military
Mounting
Surface Mount
Pin Count
3
Package Type
TO-236AB
Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор
с изолированным затвором.
MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник
Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим
полем). Это полевой транзистор, затвор
которого электрически изолирован от проводящего канала
полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора
очень высокое входное сопротивление.
Транзистор IGBT Пластиковые
Поставляемые компоненты
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП