Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
Производитель
Infineon
Категория продукта
Биполярные
транзисторы - BJT
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Тип корпуса
SOT-223-4
Полярность
транзистора
NPN
Конфигурация
Single
Напряжение
коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
300 V
Напряжение
коллектор-база (VCBO)
300 V
Напряжение
эмиттер-база (VEBO)
6 V
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер
500 mV
Максимальный
постоянный ток коллектора
500 mA
Произведение
коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки.
.jpg)
