Технология

 Si

Вид монтажа

 SMD/SMT

Полярность транзистора

 N-Channel

Количество каналов

 1 Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 60 V

Id - непрерывный ток утечки

 17 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 75 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

 - 16 V, + 16 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

 1 V

Qg - заряд затвора

 15 nC

Минимальная рабочая температура

 - 55 C

Максимальная рабочая температура

 + 175 C

Pd - рассеивание мощности

 49 W

Канальный режим

 Enhancement

Конфигурация

 Single

Время спада

 37 ns, 50 ns

Высота

 2.39 mm

Длина

 6.73 mm

Время нарастания

 89 ns, 34 ns

Серия

 RFD12N06RLESM

Тип транзистора

 1 N-Channel

Тип

 MOSFET

Типичное время задержки выключения

 22 ns, 41 ns

Типичное время задержки при включении

 13 ns, 5.3 ns

Ширина

 6.22 mm

Вес изделия

 330 mg