КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
конденсаторы - выборка по номиналу ёмкости
перейти в раздел "Конденсаторы"
0,033mkf -
0,047mkf -
0,068mkf -
0,01mkf -
0,1mkf -
0,22mkf -
0,33mkf -
0,47mkf -
0,68mkf -
1mkf -
2,2mkf -
3,3mkf -
4,7mkf -
10mkf -
22mkf -
33mkf -
47mkf -
68mkf -
82mkf -
100mkf -
120mkf -
150mkf -
220mkf -
330mkf -
470mkf -
560mkf -
680mkf -
820mkf -
1000mkf -
1500mkf -
2200mkf -
3300mkf -
4700mkf -
6800mkf -
10000mkf -
15000mkf -
22000mkf -
33000mkf -
47000mkf -
68000mkf -
100000mkf -
220000mkf -
330000mkf -
470000mkf -
680000mkf -
1000000mkf
Все
0,033
0,047
0,068
0,01
0,1
0,22
0,33
0,47
0,68
1
2,2
3,3
4,7
10
22
33
47
68
82
100
120
150
220
330
470
560
680
820
1000
1500
2200
3300
4700
6800
10000
15000
22000
33000
47000
68000
100000
220000
330000
470000
680000
1000000
Напряжение, В
Все
6,3v
10v
16v
25v
35v
50v
63v
100v
160v
200v
250v
350v
400v
450v
Диаметр, мм
Все
3
4
5
6,3
8
10
11
12
12.5
13
16
18
22
25
30
34
35
40
51
64
76
89
90
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор полевой MOSFETRFD12N06RLESM9A Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 17 А, 0.07 Ом, TO-252 (DPAK), Surface MountНа складе ... Производитель: ONS Тип корпуса: DPAK код товара: 00-00068341 Кол-во
Цена без НДС, грн
Купить
Раздел:Транзистор полевой MOSFET
Компания
ON Semiconductor Corporation производстве ON
Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные
компоненты составляют приблизительно равные доли.
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Полярность
транзистора
N-Channel
Количество каналов
1 Channel
Vds - напряжение
пробоя сток-исток
60 V
Id - непрерывный ток
утечки
17 A
Rds Вкл -
сопротивление сток-исток
75 mOhms
Vgs - напряжение
затвор-исток
- 16 V, + 16 V
Vgs th - пороговое
напряжение затвор-исток
1 V
Qg - заряд затвора
15 nC
Минимальная рабочая
температура
- 55 C
Максимальная рабочая
температура
+ 175 C
Pd - рассеивание
мощности
49 W
Канальный режим
Enhancement
Конфигурация
Single
Время спада
37 ns, 50 ns
Высота
2.39 mm
Длина
6.73 mm
Время нарастания
89 ns, 34 ns
Серия
RFD12N06RLESM
Тип транзистора
1 N-Channel
Тип
MOSFET
Типичное время
задержки выключения
22 ns, 41 ns
Типичное время
задержки при включении
13 ns, 5.3 ns
Ширина
6.22 mm
Вес изделия
330 mg
^ Наверх
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП
