Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину Специальное предложение на реле производства компании HONGFA со склада в Харькове.

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор IGBT SGH80N60UFDTU IGBT транзистор, 80 А, 2.6 В, 195 Вт, 600 В На складе ... Производитель: FAIR Тип корпуса: TO-3P код товара: 00-00032794 Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 2 шт от 6 шт 397,50 348,97 324,90 Раздел: Транзистор IGBT     Производитель  onsemi Продукт  IGBT-транзисторы Корпус  ТО-3П-3 Монтаж  Сквозное отверстие Конфигурация  Одиночная Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Макс.  600 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер  2,1 В Максимальное напряжение затвор-эмиттер  - 20 В, + 20 В Непрерывный ток коллектора при 25 C  80 А Pd — Рассеиваемая мощность  195 Вт Минимальная рабочая температура  - 55 С. Максимальная рабочая температура  + 150 С Непрерывный ток коллектора  80 А Непрерывный ток коллектора Ic Макс.  80 А Ток утечки затвор-эмиттер  +/- 100 нА       Мы рекомендуем покупать с этим товаром Rubber CAP TO-3 - Изоляционный материал Изоляционный силиконовый кожух для компонетов в корпусе ТО-3 Mica Sheet (HOLE) 18x22x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 18x22 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа Mica Sheet (HOLE) 20x25x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 20x25 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа Mica Sheet (HOLE) 22x29x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 22x29 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор IGBT IGBT транзистор - (Insulated Gate Bipolar Transistor) представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Преимуществом подобной структуры является простота управления полевым транзистором (управление напряжением) и низкое падение напряжения в состоянии проводимости у биполярного транзистора Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП